1.1半导体基础课件.pptVIP

模拟电子技术基础 主讲：邢毓华 辅导：郭庆吉 1.1半导体 基础知识 .1本征半导体 三、特点 自由电子浓度：ni；空穴浓度：pi ni＝pi，T=300K,ni=pi=1.4×1010/cm3 对比原子浓度： T=300K,4.96×1022/cm3 载流子以多子为主 导电性能又多子决定，与温度无关 少子数量很小，与温度有关。 T上升，浓度增加 一、PN结形成 浓度差→多子扩散→空间电荷区（复合）→内电场（杂质离子） →少子漂移→动态平衡→PN结形成 二、PN结的单向导电性 正偏：P接＋，N接－ 在外电场的作用下，空间电荷区变小，甚至消失，可以形成较大的正向电流。从外部看，PN结呈现较小的电阻。 反向击穿 ①雪崩击穿： 低参杂，高电压，撞击破坏 ②齐纳击穿： 高掺杂，低电压，直接破坏共价键 * * 一、结构·本征半导体 共价键晶体 原子浓度：T=300K,4.96×1022/cm3 常用半导体：＋4价:硅（Si），锗（Ge） 二、导电性能 本征激发：因为温度的作用，成对产生自由电子＆空穴对，即载流子（Carrier) 。 ——纯净无掺杂的半导体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。 导电性能很差，且与环境（尤其是温度）关系很大。 ni=pi 正比于温度：T 载流子数量少 本征激发和复合在一