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(3.1).纵波发射声场
第三章 超声波发射声场与规则反射体的回波声压 超声波源发射的超声场,具有特殊的结构。只有当缺陷位于超声场内时,才有可能被发现。 由于液体介质中的声压可以进行线性叠加,并且测试方便,因此对声场的理论分析研究一般从流体介质入手,然后在一定条件下过渡到固体介质。 又由于我们目前广泛应用脉冲反射法检测,此因本章还讨论了各种规则反射体的回波声压。 3.1 纵波发射声场 3.1.1 圆盘波源辐射的纵波声场 1 波源轴线上的声压分布 如图3-1所示,将圆盘声源看成活塞声源,设该活塞声源上各点以同相位、同速度的简谐振动辐射声能。 圆盘可以看成是由无数多个面积为dS的小面积元组成,每个小面积元都是向半空间辐射球面波的点声源 点声源满足kr01的条件(k为波数,r0为所取点源的半径) 3.1.1 圆盘波源辐射的纵波声场 则根据特殊形式的波动方程求得点声源声束轴线上距声源x处Q点的声压为 : 式中ρ0 -介质平衡状态的密度;c0-声速;k-波数k=ω/c0;r-面元至Q点的距离,ua-声源表面振动速度幅值;ω-声源振动的圆频率 3.1.1 圆盘波源辐射的纵波声场 整个圆盘声源向半空间内辐射的总声压为: 下面在极坐标系下求解该定积分。 3.1.1 圆盘波源辐射的纵波声场 由图中的位置关系可知,面元至Q点的距离 : 设 ,则 3.1.1 圆盘波源辐射的纵波声场 当R=0时,U=x;当R=Rs时, 将 代入公式,则 3.1.1 圆盘波源辐射的纵波声场 3.1.1 圆盘波源辐射的纵波声场 ① 在活塞波声压公式中,对根号项写作(X2+RS2)1/2 并按牛顿二项式: 展开,取前两项 ② 在θ很小的时候,( ) sinθ→θ,故声压幅值公式变为: 3.1.1 圆盘波源辐射的纵波声场 上式表明,当 ,圆盘波轴线上的声压与距离成反比,与波源面积成正比。 也就是说圆盘波在远场符合球面波的变化规律。 圆盘波轴线上的声压分布如图3-2所示。 3.1.1 圆盘波源辐射的纵波声场 (1)近场区的定义:波源轴线上最后一个声压极大值距波源的距离,称近场区长度,用N表示。 由活塞波的声压公式可导出近场区内声束轴线上声压极大值(即P=2P0) 当 时, 声压有极大值。 极大值对应的距离为: 式中n=0,1…(Ds-λ)/2λ ,共有n+1个极大值,其中n=0是最后一个极大值。 3.1.1 圆盘波源辐射的纵波声场 因此近场长度为: 同理可得声压极小值对应的距离为: 3.1.1 圆盘波源辐射的纵波声场 近场区内有若干个极大值和极小值,说明近场区内声压不稳,在实际检测对缺陷定量不利。 处于声压极小值处的较大缺陷回波声压可能很低,而处于声压极大值处的较小缺陷可能回波声压较高,这样容易引起误判或漏检。 在实际检测中应尽可能避免在近场区定量检测。 3.1.1 圆盘波源辐射的纵波声场 远场区:xN的区域,声压随距离增加而单调减少,称为远场区 。当 时,声压近似球面波的规律。这是因为距离足够大时,波源各点至轴线上某点的声程差很小,引起的相位差也很小,这时干涉现象可以忽略不计。 3.1.1 圆盘波源辐射的纵波声场 2 超声场截面的声压分布 横截面的声压分布:在近场区内的中心轴线上存在声压为零的截面,如图所示0.5N处,但偏离中心较高。在x≥N的远场区,中心最高,两边渐渐低,规定2N以外测定声束偏离和探头K值才准确。 3.1.1 圆盘波源辐射的纵波声场 3波束的指向性和半扩散角 波源在充分远处任意一点的声压P(r,θ)与波源轴线上同距离处声压P(r, 0)之比,称为指向性系数,如下图所示,用DC表示: 3.1.1 圆盘波源辐射的纵波声场 点波源ds在至波源距离远处任意点M(r, θ)处引起的声压为: 整个圆盘波在点M(r, θ)处引起的总声压幅值为: 式中:J1为一阶Bessel函数 3.1.1 圆盘波源辐射的纵波声场 指向性系数: 令 ,则 3.1.1 圆盘波源辐射的纵波声场 DC与y的关系曲线如下图所示: 3.1.1 圆盘波源辐射的纵波声场 由图可知以下结论: (1)。这说明超声场中至波源充分远处同一横截面上各点的声压是不同的,以轴线上的声压为最高。实际探伤中,只有当波束轴线垂直于缺陷时,缺陷回波最高就是这个原因。 (2)当y=kRssinθ=3.73,7.02,10.17,…时,Dc=P(r,θ)/P(r,θ)
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