数字电子技术张惠荣第八章课件教学.pptVIP

本章教学基本要求 8.1存储器 8.1.1 只读存储器(ROM) 8.1.1 只读存储器(ROM) 8.1.1 只读存储器(ROM) 8.1.2 随机存储器(RAM) 8.1.2 随机存储器(RAM) 8.1.2 随机存储器(RAM) 8.1.2 随机存储器(RAM) 8.2 可编程逻辑器件(PLD) 8.2.1 PLD简介 8.2.1 PLD简介 8.2.1 PLD简介 8.2.2 可编程阵列逻辑（PAL） 8.2.2 可编程阵列逻辑（PAL） 8.2.3 通用阵列逻辑（GAL） 8.2.3 通用阵列逻辑（GAL） 在线教务辅导网： 更多课程配套课件资源请访问在线教务辅导网 第8章 半导体存储器和 可编程逻辑器件 要知道：存储器、ROM、RAM和可编程逻辑器件PLD的概念及分类。 要了解：ROM和RAM的电路结构；PAL、GAL的结构。 会使用：各类PLD。 8.1.1 只读存储器(ROM) 只读存储器用于存储不可随时更改的固定信息，信息经一定方法写入（存入）存储器后，就只能读出信息不能随时写入新信息，信息可长期保存。只读存储器靠电路物理结构存储数据，故断电后信息仍能保存，不会丢失。只读存储器（ROM）有掩模ROM、可编程ROM、可改写ROM。 1．掩模只读存储器 掩模只读存储器（ROM）是在制造时把信息存放在此存储器中，使用时不再重新写入，需要时读出即可；它只能读取所存储的信息，而不能改变已存内容，并且在断电后不丢失其中存储内容，故又称固定只读存储器。ROM主要由地址译码器、存储矩阵和输出缓冲器三部分组成，如图8-1-1所示。 2．可编程只读存储器 可编程ROM（PROM）由用户自行编程的。PROM在出厂时，存储体的内容为全0或全1，用户可根据需要将某些内容改写，也就是编程。常用的双极型工艺ROM，采用烧毁熔断丝的方法使三极管由导通变为截止，使三极管不起作用，存储器变为“O”信息；而未被烧断熔丝的地方，即表示为“1”信息。PROM只实现一次编写的目的，写好后就不可更改。 如果想对一个ROM芯片反复编程，多次使用，需用可擦除编程ROM即EPROM。常用的MOS工艺制造的EPROM用注入电荷的办法编程，此过程可逆，当用紫外光照射以后，旧内容被擦除。擦除后的芯片内容可能是全1，也可能是全0，视制造工艺而不同，之后可再次编程。 3．ROM容量的扩展 ROM除了地址线和数据线（字输出线）外，还有地线（GND）、电源线（VCC）以及用来控制ROM工作的控制线 （片选线）。当 =1时，芯片处于等待状态，ROM不工作，输出呈高阻态；当 =0时，ROM工作。 一个存储器的容量就是字线与位线（即字长或位数）的乘积。当所采用的ROM容量不满足需要时，可将容量进行扩展。扩展又分为字扩展和位扩展。 1．RAM的基本结构 RAM的基本结构由存储矩阵、地址译码和输入输出控制电路等3个部分组成，如图8-1-6所示。 2．RAM的存储单元 RAM的存储单元结构有双极型、NMOS型和CMOS型。双极型速度快，但功耗大，集成度不高。大容量的RAM一般都采用MOS型。MOS型RAM的基本存储单元有静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两种。 1）静态RAM（SRAM） 图8-1-7为由MOS管触发器组成的存储单元图，其中MOS管为NMOS。V1、V2，V3、V4组成的两个反相器交叉耦合构成基本RS触发器作基本存储单元；V5、V6为门控管，由行译码器输出字线X控制其导通或截止；V7、V8为门控管，由列译码器输出Y控制其导通或截止，也是数据存入或读出的控制通路。 2）动态RAM（DRAM） 图8-1-8所示是用一只NMOS管组成的动态RAM基本存储单元，MOS电容CS用于存储二进制信息，数据1和0是以电容上有无电荷来区分的。NMOS管V是读／写控制门，以控制信息的进出。字线控制该单元的读／写，位线控制数据的输入或输出。 8.2.1 PLD简介 1．PLD的基本结构 PLD作为专用集成逻辑器件，其基本结构是由与逻辑阵列和或逻辑阵列组成的。图8-2-1是PLD的基本结构框图。 2．PLD的表示方法 PLD阵列庞大，其表示有自己独特的方法，使在芯片内部配置和逻辑图之间建立对应关系。 1）连接方式 PLD门阵列交叉点的连接方式分为固定连接单元、可编程连接单元和断开连接单元，如图8-2-2所示。 2）逻辑门的表示方式 PLD中逻辑门的表示如图8-2-3所示，图8-2-3（a）是PLD与门的表示方法，其逻辑关系为Y1=ABC；图8-2-3（b）是PLD或门的表示方法，表示的逻辑关系为Y2=A+B+C；图8-2-3（c）是能产生互补输出的缓冲器；图8-2-3（d）是具有三态输出的缓冲器。 3．PLD的分类 PLD按集成度的高