集成电路制造技术_第二章氧化（part3）.-微电子学院微电子实验教学.ppt

第二章 氧 化 主 讲：毛 维 mwxidian@126.com 西安电子科技大学微电子学院 2.5 热氧化的杂质再分布 2.5.1 杂质的分凝与再分布 分凝系数 m=杂质在Si中的平衡浓度/杂质在SiO2中的平衡浓度 对同一杂质、同一温度条件，在平衡状态下，m是一 个常数。由m可判断在界面处杂质分布的情况。 P、As、Sb: 10； Ga：20 ； B：0.1-1； 四种分凝现象：根据m1、m1和快、慢扩散 ① m1、 SiO2中慢扩散：B ② m1、 SiO2中快扩散：H2气氛中的B ③ m1、 SiO2中慢扩散：P ④ m1、 SiO2中快扩散：Ga 2.5 热氧化的杂质再分布 2.5.2 再分布对Si表面杂质浓度的影响 影响Si表面杂质浓度的因素： ①分凝系数m ②DSiO2/DSi ③氧化速率/杂质扩散速率 1. P的再分布（m=10） CS/CB：水汽干氧 原因：氧化速率越快，加入 分凝的杂质越多； CS/CB随温度升高而下降。 2.5 热氧化的杂质再分布 2. B的再分布（m=0.3） CS/CB：水汽干氧 CS/CB随温度升高而升高。 原因：扩散速度随温度升高 而提高，加快了Si表面杂质 损耗的补偿。 改正：图2.23中纵