晶片排列方式与注意事项.docVIP

晶片排列技巧與注意事項： 在MPW整體晶片佈局的排列上由於CIC所提供之CMOS製程切割方式是委託廠商以鑽石刀做破壞性切割，即一刀劃下無法做多路徑或分段切割的方式，因此在排列需預留切割道以作為切割之用。 學校自費委託CIC製作晶片時，晶片切割是以200 um為切割道。以搭shuttle時 ，一個Bolck(5000 X 5000 um2)而言，邊界不需預留切割道，可完全貼齊，以利用到最大面積，但內部之個別chip需以最大面積者為考量，與周圍之chip保持最小200 um之切割道。舉例說明，如圖一之排列方式而言，其中Chip B與Chip C所需預留之切割道需以Chip D和Chip A之邊界為基準做計算。所以在此例中斜線部分面積將浪費無法使用。 (圖一) 在佈局排列上有下列技巧與trade-off可供參考： 在排列上儘量將相近面積大小之chip排列在一起，例可排在同一列或同一行，以增加面積使用率。如圖二之第一列，為剩餘面積將較小的chip排入。 (圖二) CIC在下TSMC shuttle時，每一個block均可拿到40顆brae die，並且於晶片切割時可指定切割方式(即40顆die可分為二種或三種切割方式)，因此若所下之晶片有一兩個size特別大，容易導致其無法排入，或其他chip無法排進，此時可考慮以拿到較少的die數目換取所有chip均可下線方式。舉例說明如下： (圖三) 如圖三所示，其中因為chip PLL_001面積較大，因此在排列上，若要全部chip都要拿到40顆die，將使PLL_001無法下線，故可考慮將此Block以兩種方式做切割，如藍線為犧牲PLL_001，可取得其他chips。而綠線切割方式，則為犧牲PLL_001下方9個chips，以取得PLL_001。所以在此例中可發現，除了第一行之chips可完全拿到40顆die外，其他chips均最多只拿到20顆die。 可試著利用rotate方式將較長或寬的chip排列在一起，可增加面積使用率。如圖四若單純將所有的chip不經過整理排列，則會發現將導致chip BUFFER_TMP排不進去，並且因為chip PA也過大，整個Block需要三種切割方式(多了紫色切割方式)方能取得所有chip，如此不但浪費面積，而拿到die的數目也相對減少，因此可試著將相似形狀的chip做翻轉重新排列，可得到如圖三最佳的排列方式。 (圖四) 至於兩個Block以上的排法，亦可利用上述技巧或方式，將其chip排列做到最佳化。 晶片實作組 沙主榮 jrsha@cic.edu.tw