超大规模集成电路技术基础（7-8.pptVIP

7.2.2 退火 （1）基本概念 退火 将半导体材料置于高温下一段时间，利用热能，一方面可使材料内的原子进行晶格位置重排以降低材料中缺陷，另一方面激活注入粒子或载流子以恢复迁移率等材料的电学参数。 退火技术 — 常规退火：将退火材料置于热炉管内，通过长时间高温退火来消除 材料损伤和激活电参数。 — 快速热退火（RTA）：使用各种能源并在极短时间内可完成的退 火工艺。 黄君凯 教授 退火温度 Ts 在常规退火的热炉管中退火30分钟后90%的注入离子被激活的温度。 （2）硼和磷的常规退火 黄君凯 教授 图7-9 硅衬底内硼离子注入退火分布 图7-10 硅衬底中离子注入的Ts-S关系 由于固相外延使大剂量注入形成的非晶态表面层在较低Ts即可全部再结晶而激活 （3）快速热退火及其装置 黄君凯 教授 图7-11 常规与快速退火杂质分布比较 图7-12 RAT装置 非相干宽带光源：钨丝灯和弧光灯 7.3 与离子注入有关的工艺 7.3.1 多次注入和掩膜 （1）多次注入 利用多次注入不同掺杂量和注入能量的组合，可获得所需各种组合杂