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本科生上课笔记重点
宏观的塑性变形是位错在外力作用下运动的结果。
位错在晶体中的运动方式有两种:
滑移slip:与金属的变形密切相关
攀移climba
位错的滑移是在切应力作用下进行的,存在一个最小切应力。
使刃型位错滑移的切应力必须与位错线垂直。
对于刃型位错,晶体滑移的方向与位错运动方向一致。
滑移面:位错线与柏氏矢量组成的原子面,对于刃型位错,位错线与柏氏矢量垂直,因此刃位错的滑移面是唯一确定的。
使螺型位错滑移的切应力必须与位错线平行。对于螺型位错,晶体滑移的方向与位错运动方向垂直。滑移面:对于螺型位错,位错线与柏氏矢量平行,因此螺型位错可以有多个滑移面。
要点 (1)位错的滑移面包含柏氏矢量和位错线。
(2)对于一根位错线而言,柏氏矢量是固定不变
(3 )可以通过柏氏矢量和位错线的关系来判断位 错特征。b⊥t时为刃型位错,b∥t为螺型位错, 对于混合型位错,b和t的角度在0°和90°。
的。
(4)位错线不能终止于完整晶体之中。
位错通常可以在包含位错线和柏氏矢量的面上滑移,在某些情况下,还能发生垂直于滑移面方向的移动,称为攀移。
只有刃型位错会发生攀移。攀移的本质是刃型位错半原子面的向上(正攀移)或向下运动(负攀移)。
攀移时伴随物质的迁移,需要空位的扩散,需要热激活,比滑移需要更大的能量
原子正常的堆剁次序遭到破坏的现象称为堆垛层错。
面缺陷包括晶界、相界和表面
前面举例晶体有规则的外形,金属内部是由大量的小的单晶体组成,称为晶粒,每个晶粒内部,原子是规则排列的。晶粒之间的界面称为晶界。在晶界部分,原子呈不规则排列。
晶界两侧晶粒的位相差θ
θ10o 小角度晶界
θ10o 大角度晶界
在晶界处,原子处于较高能量状态。这部分能量称为晶界能
点缺陷、线缺陷、面缺陷、肖脱基空位、弗兰克耳缺陷、间隙原子、置换原子、刃型位错、螺型位错、位错密度、滑移、攀移、全位错、不全位错、层错、大角度晶界、小角度晶界、晶界能
刃型位错和螺型位错的特征。
柏氏矢量的确定及柏氏矢量的表示。
理解滑移的过程及刃型位错和螺型位错滑移的特点。
组元 component:组成材料最基本的,独立的物质。
纯元素 金属Ni Cu Fe Cr 非金属 C N B O
化合物 Al2O3、 SiO2、 AlN、 Fe3C
合金 alloy: 由两种或两种以上的金属、或金属与非金属经熔炼或其他方法制成的具有金属特性的物质。
相 phase:金属中具有同一聚集状态、同一晶体结构和性质并以界面相互隔开的均匀组成部分。
相图 phase diagrams:描写在平衡条件下,系统状态或相的转变与成分、温度及压力间的关系的图。
纯金属:高导电性,高延展性,良好的耐蚀性。强度较低,很少用作工程结构。
合金化:可提高强度和硬度。工程中应用的金属材料大部分是合金。
以合金中某一组元作为溶剂、其它组元为溶质、所形成的与溶剂有相同晶体结构、晶格常数稍有变化的固相,称为固溶体。
溶剂的晶体结构不改变,但是由于溶质原子的存在,晶格会发生畸变
形成无限固溶体时,原子相对尺寸差一般小于15%。
组元间晶体结构相同时.固溶度一般都较大,而且有可能形成无限固溶体。
若组元间晶体结构不同.便只能形成有限固溶体。
两元素间电负性差越小,则越易形成固溶体,而且所形成的固溶体的溶解度也就越大;
随两元素间电负性差增大.固溶度减小,当溶质与溶剂的电负性差很大时,往往形成比较稳定的金属间化合物。
电子浓度:合金中各组成元素的价电子数总和与原子总数的比值,记作e/a。
存在一极限电子浓度。超过极限电子浓度,固溶体就不稳定,便会形成新相。
形成间隙固溶体的溶质原子半径很小,如
氢(0.046nm) 氧(0.061nm) 氮(0.071nm)
碳(0.077nm) 硼(0.097nm)
间隙固溶体只能是有限固溶体。
形成固溶体时,材料的硬度、强度升高,这种由于溶质原子的固溶引起的强化效应,称为固溶强化。
当溶质原子的加入量超过一定限度时,会形成一种新相,这种新相称为中间相,中间相的晶体结构不同于此相中的任一组元。
又称为金属间化合物
分类:
正常价化合物
电子化合物
尺寸因素化合物
由金属元素与周期表中的第IV,V,VI族元素组成。
化合物符合化合的原子价规律,可用化学式表示。
AB, A2B (or AB2).
熔点高于组成金属元素,说明原子间结合力较强。硬度较高,但是脆性大。
如Mg2Si Mg2Sn MnS AlN SiC等。
e/a = (价电子数总和) / (原子总数).
有三种不同的比值,通常称为Hume-Rothery比:
e/a = 3/2(21/14)-β相
e/a = 21/13-γ相
e/a = 21/1
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