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第三章：半导体二极管、三极管和场效应管 3.1 PN结与二极管、稳压二极管 半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。 常用的半导体材料是四价元素硅（Si）和锗（Ge），原子是共价键结构 本证半导体自由电子和空穴少、导电能力低。 N 型半导体——在本征半导体中掺入5价元素磷（或砷、锑）时，它用4个电子与相邻原子组成共价键后，还多余一个价电子。电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 P型半导体——在本征半导体中掺入3价元素硼（或铝、镓等），它和相邻的原子组成共价键时，因缺少一个价电子而留下一个空穴。空穴是多数载流子，电子是少数载流子。 3.1.2 PN结及其单向导电性 用特殊工艺将P型半导体和N型半导体放在一起，两边多子向对方扩散过程中相遇因复合而成对消失，在交界面附近出现的空间电荷区被称之为PN结。 内电场 (a)多子的扩散 (b)PN结的形成 电源的正极接P区、负极接N区，叫做加“正向电压”或“正向偏置”。正偏时，内电场减弱，由多子组成的正向电流IF从P区流入通过PN结。 电源的正极接N区，负极接P区，叫做加“反向电压”或“反向偏置”。反偏时，内电场加强，由少子组成的反向电流IR从N区流入通过PN结。 3.1.3 半导体二极管 将PN结封装并加上引线构成二极管，符号中的箭头代表正偏时电流的方向。 普通二极管可用作整流、检波、限幅、钳位以及数字电路中的开关电路等。 主要参数有：最大正向电流 IFM、最大反向工作电压 URM、反向电流 IR、最高工作频率f M等。 图 3-8 二极管的伏安特性 理想二极管特性，正偏时相当于短路 反偏时相当于开路 3.1.4 稳压二极管 稳压二极管简称稳压管，工作在反向击穿状态。 主要参数有：稳定电压UZ、稳定电流 IZ 、动态电阻rZ 等。 (a) 符号 (b)伏安特性 (c)稳压电路 图3-12 3.2 半导体三极管（晶体管） 3.2.1 晶体管的基本结构及符号 晶体管有三个区：发射区、基区和集电区，从各区向外引线构成三个极。 三个区按照NPN或PNP 排列形成发射结和集电结。 发射区重掺杂、基区很薄且轻掺杂以及集电区轻掺杂但面积大是晶体管内部特点。 (a) NPN管结构及符号 (b) PNP管结构及符号 (c)几种三极管外形 3.2.2 晶体管的电流放大过程 发射结正偏、集电结反偏是晶体管电流放大的外部条件。 以NPN管为例，发射区的电子发射到基区 ——有少量的电子与基区的空穴复合—— 多数电子在集电结反偏条件下通过集电结。 集电极收集的电子数远远大于在基区复合的电子数，这就是电流放大。 3.2.3 晶体管的伏安特性 输入特性：UBE＞Uon 时产生基极电流IB 输出特性：放大区IC =βIB ；截止区IC≈0；饱和区UCE≈0。 图3-16晶体管共射极伏安特性测试电路 图3-17 晶体管的输入特性 图3-18晶体管的输出特性 3.2.4 晶体管的主要参数 共射极电流放大系数 极间反向电流ICBO和ICEO 集电极最大电流ICM、集电极最大功率PCM 、反向击穿电压UBRCEO 3.3 场效应管 3.3.1 结型场效应管 (a)N沟道结型场效应管结构 (b)N沟道结型管符号 (c) P沟道结型管符号 图3-20 (a) 转移特性 (b) 输出特性 图3-23 结型场效应管的特性曲线 3.3.2 绝缘栅场效应管 (a)转移特性 (b)输出特性 图3-25 N沟道增强型 图3-26 N沟道增强型 MOS管共源极接法