半导体制造工艺教案8-刻蚀概要.docVIP

课题序号 2 授课班级 075电子1、2 授课课时 8 授课形式 讲授 授课章节 名称 主题8、刻　　蚀 使用教具 多媒体 教学目的 1、了解刻蚀工艺2、掌握干法刻蚀的应用3、了解干法刻蚀的质量控制 教学重点 干法刻蚀的应用 教学难点 干法刻蚀的质量控制 更新、补 充、删节 内容 课外作业 教学后记 授课主要内容或板书设计 第8章　刻　　蚀 8.1　引言8.2　刻蚀工艺8.3　干法刻蚀的应用8.4　干法刻蚀的质量控制 课 堂 教 学 安 排 教学过程 主 要 教 学 内 容 及 步 骤 导入 新授 刻蚀（Etching）是把进行光刻前所淀积的薄膜（厚度约在数百到数十纳米）中没有被光刻胶覆盖和保护的部分，用化学或物理的方式去除，以完成转移掩膜图形到薄膜上面的目的，如图所示。 刻蚀图形转移示意图 1)湿法刻蚀是利用合适的化学试剂将未被光刻胶保护的晶圆部分分解，然后形成可溶性的化合物以达到去除的目的。2)干法刻蚀是利用辉光(Glow Discharge)的方法产生带电离子以及具有高浓度化学活性的中性原子和自由基，这些粒子和晶圆进行反应，从而将光刻图形转移到晶圆上。 刻蚀的要求1.图形转换的保真度高2.选择比3.均匀性4.刻蚀的清洁 8.2　刻蚀工艺 8.2.1　湿法刻蚀　　最早的刻蚀技术是利用溶液与薄膜间所进行的化学反应，来去除薄膜未被光刻胶覆盖的部分，从而达到刻蚀的目的。这种刻蚀方式就是湿法刻蚀技术。湿法刻蚀又称湿化学腐蚀，其腐蚀过程与一般化学反应相似。由于是腐蚀样品上没有光刻胶覆盖部分，因此，理想的腐蚀应当是对光刻胶不发生腐蚀或腐蚀速率很慢。刻蚀不同材料所选取的腐蚀液是不同的。1)湿法刻蚀的反应生成物必须是气体或能溶于刻蚀剂的物质，否则会造成反应生成物沉淀，从而影响刻蚀正常进行。2)湿法刻蚀是各向异性的，刻蚀中腐蚀液不但浸入到纵向方向，而且也在侧向进行腐蚀。3)湿法刻蚀过程伴有放热和放气过程。 1)反应物扩散到被刻蚀材料的表面。2)反应物与被刻蚀材料反应。3)反应后的产物离开刻蚀表面扩散到溶液中，随溶液被排除。8.2.2　干法刻蚀　　干法刻蚀是以等离子体来进行薄膜刻蚀的一种技术。在干法刻蚀过程中，不涉及溶液，所以称为干法刻蚀。1)物理刻蚀是利用辉光放电将气体(比如氩气)解离成带正电的离子，再利用偏压将带正电的离子加速，轰击在被刻蚀薄膜的表面，从而将被刻蚀物质的原子轰击出去。 2)化学刻蚀又叫做等离子刻蚀，它与物理刻蚀完全不同，它是利用等离子体，将反应气体解离，然后借助离子与薄膜之间的化学反应，把裸露在等离子体中的薄膜，反应生成挥发性的物质而被真空系统抽离。1.等离子体的概念2.等离子体的产生方式(1)气体放电法　通常把在电场作用下，气体被击穿而导电的现象称为气体放电。(2)射线辐照法　射线辐照法是利用各种射线或粒子束辐照，使得气体电离而产生等离子体。 8.2.3　两种刻蚀方法的比较 湿法刻蚀是在水溶液下进行的，所以刻蚀速度较快，同时选择度较高，但刻蚀时是各向同性腐蚀，也就是说，除了在纵向进行腐蚀以外，在横向上也会有腐蚀，这样就造成图形转换时保真度较低，因此，湿法刻蚀不能满足超大规模集成电路制造的要求。 干法刻蚀与湿法刻蚀效果的比较 8.3　干法刻蚀的应用 8.3.1　介质膜的刻蚀　　集成电路工艺中所广泛用到的介质膜主要是SiO2膜及Si3N4膜。1.二氧化硅的干法刻蚀 HWP结构图 等离子体扩散腔外围磁场 (1)氧的作用　在CF4中加入氧后，氧会和CF4反应释放出F原子， 因而增加F原子的含量，则增加了Si与SiO2的刻蚀速率，并消耗掉部分C，使得等离子体中碳与氟的比例下降。 (2)氢的作用 (3)反应气体　在目前的半导体刻蚀制备中，大多数的干法刻蚀都采用CHF3与氯气所混合的等离子体来进行SiO2的刻蚀。2.氮化硅(Si3N4)的干法刻蚀 圆筒形结构示意图 8.3.2　多晶硅膜的刻蚀 在MOS器件中，栅极部分起着核心的作用，因此栅极的宽度需要严格控制，因为它代表了MOS器件的沟道长度，从而与MOS器件的特性息息相关。因此，多晶硅的刻蚀必须严格地将掩膜上的图形转移到多晶硅薄膜上。此外，刻蚀后的轮廓也很重要，如栅极多晶硅刻蚀后侧壁有倾斜时，将会遮蔽源极和漏极的离子分布，造成杂质分布不均匀，通道的长度将随倾斜程度的不同而改变。同时，刻蚀时要求Si对SiO2的选择性要高，如果多晶硅覆盖在很薄（小于20nm）的栅极氧化层上，如果氧化层被穿透，氧化层下面的源—漏极间的Si将很快被刻蚀。因此，若采用CF4、CF6等氟离子为主的等离子体来刻蚀多晶硅，则不太合适，较低的选