第二章电力电子器件1）课件.pptVIP

电力电子器件 电子技术的基础 电力电子器件的概述 1 电力电子器件的概念和特征 2 应用电力电子器件的系统组成 3 电力电子器件的分类 电力电子器件的概念和特征 电力电子电路的基础 —— 电力电子器件 概念: 电力电子器件（power electronic device）——可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件 主电路（main power circuit）——电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路 广义上分为两类: 电真空器件 (汞弧整流器、闸流管等电真空器件) 半导体器件 (采用的主要材料仍然是硅) 电力电子器件的概念和特征 3. 同处理信息的电子器件相比，电力电子器件的一般特征： 应用电力电子器件的系统组成 电力电子系统：由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成 电力电子器件的分类 按照器件能够被控制电路信号所控制的程度，分为以下三类： 电力电子器件的分类 按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质，分为两类： 不可控器件—功率二极管 PN结与电力二极管的工作原理 基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管一样 以半导体PN结为基础 由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的 从外形上看，主要有螺栓型和平板型两种封装 电力二极管的基本特性 1. 静态特性 主要指其伏安特性 门槛电压UTO， 正向电压降UF 。 承受反向电压时，只有微小而数值恒定的反向漏电流。 电力二极管的基本特性 电力二极管的主要参数 1.正向平均电流IF 2. 正向压降UF 3. 反向重复峰值电压URRM 4. 最高工作结温TJM 5. 反向恢复时间tRR 6. 浪涌电流Isur 电力二极管的主要类型 普通二极管（General Purpose Diode） 2. 快恢复二极管（Fast Recovery Diode——FRD） 3. 肖特基二极管（Schottky Barrier Diode——SBD） 半控器件—晶闸管 1 晶闸管的结构与工作原理 2 晶闸管的基本特性 3 晶闸管的主要参数 4 晶闸管的派生器件 半控器件—晶闸管 晶闸管（Thyristor）：晶体闸流管，可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier——SCR） 1956年美国贝尔实验室（Bell Lab）发明了晶闸管 1957年美国通用电气公司（GE）开发出第一只晶闸管产品 1958年商业化 晶闸管往往专指晶闸管的一种基本类型——普通晶闸管，广义上讲，晶闸管还包括其许多类型的派生器件 晶闸管的结构与工作原理 外形有螺栓型和平板型两种封装 引出阳极A、阴极K和门极（控制端）G三个联接端 晶闸管的结构与工作原理 可以简单归纳晶闸管正常工作时的特性如下： 承受反向阳极电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。 承受正向阳极电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。 UAK0 且 UGK0 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。门极只需加脉冲信号而无须连续信号，称触发信号 要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下 。 IaIH SCR具有单向导电性 晶闸管的结构与工作原理 其他几种可能导通的情况： 阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应 阳极电压上升率du/dt过高 结温较高 光直接照射硅片，即光触发 只有门极触发（包括光触发）是最精确、迅速而可靠的控制手段 晶闸管的基本特性 1.晶闸管的伏安特性 第I象限的是正向特性 第III象限的是反向特性 （1）Direct: UDRM——正向重复峰值电压 UDSM——正向不重复峰值电压 Ubo ——正向转折电压 门极电流幅值增加，正向转折电压降低 UDRM≈0.9 UDSM （2）Reverse: URRM——反向重复峰值电压 URSM——反向不重复峰值电压 URRM≈0.9 URSM 晶闸管的基本特性 2. 动态特性 晶闸管的主要参数（补充） 1. 电压定额 晶闸管的主要参数 2. 电流定额 晶闸管的主要参数 3. 动态参数 晶闸管的派生器件 双向晶闸管（Triode AC Switch——TRIAC或Bidirectional triode thyristor） 作业： 1. 图1中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im，试计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。 2. 上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶闸管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少？这时，相