第4章存储系统和结构.doc

第4章 存储系统和结构 4.1 基本内容摘要 1、存储系统的组成 ◆ 存储器的分类 ◆ 主存 半导体存储器 SRAM、DRAM、ROM的基本电路 ◆ 辅存 2、主存的组织与操作 ◆ 半导体存储器的基本结构 ◆ 存储器中的数据组织 小端存放格式 大端存放格式 ◆ 半导体存储器的主要技术指标 存储容量 存储速度 ◆ 半导体存储器芯片的发展 DRAM芯片技术发展： FPM DRAM ；EDO DRAM ；SDRAM ；DDR SDRAM ◆ 主存储器的组织 SRAM HM 6116 DRAM Intel 2164 芯片的互联：位扩展、字扩展、字位扩展 ◆ 多体交叉存储技术 组成、工作原理 3、存储系统的层次结构 ◆ 层次化存储系统 ◆ Cache-主存存储层次 ◆ 主存-辅存存储层次 4、高速缓冲存储器 ◆ Cache的工作原理 Cache的结构 Cache的工作过程 ◆ 主存与Cache之间的地址映像 Cache的基本结构 地址映像和地址映像表 ◆ 直接映像 直接映像方式 主存地址 直接映像的访存过程 ◆ 全相联映像 全相联映像方式 主存和Cache的地址结构 主存和Cache的地址结构 全相联映像下的访存过程 ◆ 组相联映像 组相联映像方式 主存和Cache的地址结构 组相联映像下的访存过程 ◆ 替换策略和更新策略 三种替换算法：随机法、先进先出法、LRU法 更新策略：写回法、全写法、写装入法、写不装入法 5、虚拟存储器 ◆ 虚拟存储器的基本概念 虚拟存储器的工作原理 虚地址、实地址 ◆ 页式虚拟存储器 页式虚拟存储器地址结构 页式虚拟存储器的地址映像 页式虚拟存储器的地址变换过程 ◆ 段式虚拟存储器 段式虚拟存储器地址结构 段式虚拟存储器的地址映像 段式虚拟存储器的地址映像过程 ◆ 段页式虚拟存储器 段页式虚拟存储器的地址结构 段页式虚拟存储器的地址映像 段页式虚拟存储器的地址映像过程 ◆ 快表技术 快表的形成 “快表”和“慢表”实现地址转换 4. 2 知识点 一、主存储器 1、 分类 随机存取存储器RAM：SRAM、DRAM 只读存储器ROM 2、 半导体存储器基本结构 （1）随机存取存储器RAM 挥发性存储器，失电时信息丢失。 ◆ SRAM基本电路及其读写工作原理； 存储单元电路是半导体触发器，典型的单极型SRAM基本电路是由6个MOS管组成的双稳态触发电路； 存储单元的内容可多次读出，读出时不破坏原存信息；功耗较大，容量较小，但存取速度较快。 ◆ DRAM基本电路及其读写工作原理； 基本电路由一个晶体管和一个电容组成，利用MOS管的栅极对其衬底间的分布电容来保存信息，以储存电荷的多少(即电容端电压的高低)来表示“1”和“0”； 存储单元的内容读出时破坏原存信息，功耗小，容量较大，但存取速度较SRAM慢； DRAM必须不断进行刷新，对存储单元中电容充电。 （2）只读存储器ROM 只能读取数据不能写入数据的存储器。一般由一个晶体管构成一个存储单元，存储单元构成阵列，用行选通和列选通信号选择存储单元。能长期保存信息，信息可随机被访问。 ◆ 掩膜ROM 存储单元中的信息在生产中用掩膜形成两种存储单元，存储单元中有无晶体管代表数据0和1。 ◆ PROM 可编程ROM，用户能够一次性烧入数据，在晶体管的发射极和列选通线之间用熔丝连接，可实现一次性可编程数据存储。 ◆ EPROM 可擦除可编程ROM，一般指紫外线擦除可编程的ROM，用户能够多次烧入数据， 可多次擦除，多次改写。 ◆ E2PROM 电可擦除可编程的ROM，用户可用电信号在线进行擦除和改写的存储器。 ◆ Flash Memory 闪速存储器，一种的快擦型E2PROM存储器，只能以块为单位擦写。 （3）存储器芯片 ◆ 基本结构 组成： 存储体 — 是存储单元的集合体，存储单元阵列； 数据读写电路 — 驱动缓冲作用； 地址译码电路 — 将地址信号转换为选中某一存储单元的选通信号，如采用双译码方式的存储器，会将一部分地址信号转换为行选通信号、另一部分地址信号转换为列选通信号，