光电检测器件课稿.ppt

第二章 光电检测器件 利用物质的光电效应把光信号转换成电信号的器件 光子检测器件 （狭义上的光电检测器件） 响应波长有选择性 响应快(ns---0.1ms) 热电检测器件(无选择性能到远红外、响应慢ms) 2.1.1 响应特性参数 2.1.2 噪声特性参数 2.1.3 其它参数 1.响应度(灵敏度) 光电探测器件的输出电压(或电流)与入射光功率之比 2.光谱响应度（两不同单位） 输出电压或输出电流与入射到探测器上的单色辐射通量之比 3.积分响应度 输出电压或电流与入射到探测器上的总光通量之比 4.响应时间（跟弛豫有关） 输出上升到稳定值或下降到照射前的值所需时间 5.频率响应（上限频率，由4决定） 光电探测器的响应随入射的调制频率而变化的特性 4、响应时间 描述光电探测器对入射辐射响应快慢地一个参数。即当入射辐射到光电探测器后或入射辐射被遮断后，其输出上升到稳定值或下降到照射前的值所需要的时间。 5、频率响应 光电探测器的响应随入射辐射的调制频率而变化的特性。其关系如下： （内部）噪声源 1.热噪声（约翰逊噪声，白噪声） 载流子无规则的热运动造成的噪声 2.散粒噪声（散弹噪声，白噪声） 穿越势垒的载流子的随机涨落所造成的噪声 3.产生-复合噪声 载流子的产生与复合过程中因载流子浓度的上下起伏而造成的噪声 4.1/f噪声（低频噪声，‘红’噪声） 闪烁噪声:光敏层的微粒不均匀或不必要的微量元素引起微火花放电 衡量噪声的参数 1.信噪比(S/N)：与接受面积及入射光辐射功率有关 负载电阻上产生的信号功率与噪声功率之比 2.等效噪声输入(ENI)：确定器件的探测极限 器件在特定带宽内（1HZ）产生的均方根信号电流恰好等于均方根噪声电流值时的输入通量 3.噪声等效功率(NEP)：最小可探测功率，越小（10-11W）则噪声越小 信号功率与噪声功率之比为1时入射到探测器件上的辐射通量 4.探测率D、归一化探测率D* 探测率D定义为噪声等效功率的倒数 D*：给定光敏面上不同带宽内的探测率 5.暗电流Id 光电检测器件仅在加电源，而没有输入信号和背景辐射时所流过的电流 1.量子效率η(λ)：描述入射辐射与最初光敏元的相互作用 某一特定波长上每秒钟内产生的光电子数与入射光量子数之比 η(λ) =1时,入射一个光量子就能发射一个电子或产生一对电子空穴对 2.线性度 光电探测器输出信号与输入信号保持线性关系的程度（响应度是常数）：下限由噪声和暗电流决定，上限由饱和效应和过载决定。 非线性误差:δ=Δmax/(I2-I1) 3.工作温度 光电探测器最佳工作状态时的温度 2.2.1 光电发射材料 金属材料（弱，紫外或远紫外）、金属化合物、半导体材料（大，可见光及近红外） 对光电发射材料的要求 光吸收系数大（量子效率高） 光电子在向表面传输过程中受到的能量损失小 表面热垒低，逸出功小，使表面逸出几率大 一定的电导率，可由外电源来补充因光电发射所失去的电子 一、常用的经典光电发射材料 银氧铯阴极 锑铯阴极 多碱光电阴极 锑钾钠阴极 锑钾钠铯阴极 紫外光电阴极（“日盲”） 二、负电子亲和势材料 在重掺杂P型硅表面涂一薄层CsO2 长波限长,量子效率高 一、常用的经典光电发射材料 1、银氧铯阴极（Ag-O-Cs） 3、多碱光电阴极 A、锑钾钠光电阴极：响应度可达50－100μA/lm，在0.4 μm处量子效率达25％，能耐高温，光电疲劳效应小； B、锑钾钠铯光电阴极：峰值响应度波长在0.42微米附近，峰值响应度可达230μA/lm，量子效率高；响应范围较宽，光电疲劳效应小。 4、碲化铯（紫外，‘日盲’）光电阴极：对太阳＆地表面辐射不敏感，响应范围100－280nm；长波限在290～320微米。 二、负电子亲和势（NEA）材料 1963年由Simom提出的负电子亲和势理论，并于Scheer等人研制的第一个GaAs-Cs负电子亲和势光电阴极。 1、NEA与光电阴极发射的区别： 参与发射的电子是导带的“冷”或“热化”电子； NEA阴极重导带的电子逸入真空不需做功； NEA是指半导体内的有效值。 2、特点： 高吸收，低反射性质； 高量子效率，可达50％～60％，长波限可达9％； 光谱响应可达1μm以上； “冷”电子发射光谱能量分布较集中，接近高斯分布； 光谱响应较为平坦； 暗电流小，从室温冷却到－20摄氏度时，暗电流下降3个数量级； 在可见、红外区，能获得高响应度（2微安每流明），紫外区不突出； 工艺复杂，造价昂贵。 组成 由玻壳、光电阴极和阳极三部分组成 玻壳中抽真空或充惰性气体 特点 光电阴极面积大，灵敏度较高，一般积分灵敏度可达20～200μA/lm；暗电流小，最低可达 A；光电发射弛豫过程极短 体积都比较大、工作电压