微电子器件1范例.ppt

4. 方程的积分形式 以上各方程均为微分形式。其中方程 (1-1) 、(1-4) 、(1-5) 可根据场论中的积分变换公式 而变换为如下的积分形式， （1-6） （1-8） （1-7） 上面的方程（1-6） 式中， 代表电位移。 上式就是大家熟知的高斯定理。 方程 ( 1-7 )、( 1-8 ) 称为电子与空穴的 电荷控制方程 ，表示流出某封闭曲面的电流受该曲面内电荷随时间的变化率与电荷的净复合率所控制。 在用基本方程分析半导体器件时，有两条途径，一条是用计算机求 数值解。这就是通常所说的半导体器件的数值模拟；另一条是求基本方程的 解析解，得到解的封闭形式的表达式。但求解析解是非常困难的。一般需先 对基本方程在一定的近似条件下加以简化后再求解。本课程只讨论第二条途径。 （1-9） （1-10） （1-11） （1-12） （1-13） 1.2 基本方程的简化与应用举例 最重要的简化是三维形式的方程简化为一维形式，得到 在此基础上再根据不同的具体情况还可进行各种不同形式的简化。 例 1.1 对于方程（1-9） （1-14） 在耗尽区中，可假设 p = n = 0 ，又若在 N 型耗尽区中，则还可忽略 NA ，得 　　若在 P 型耗尽区中，则得 例 1.2 对于方程（1-10）， （1-16） 　　当载流子浓度和电场很小而载流子浓度的梯度很大时，则漂移电流密度远小于扩散电流密度，可以忽略漂移电流密度，方程（1-10）简化为 　　反之，则可以忽略扩散电流密度，方程（1-10）简化为 例 1.3 对于方程（1-12）、（1-13）中的净复合率 U ，当作如下假设：(1) 复合中心对电子空穴有相同的俘获截面；(2) 复合中心的能级与本征费米能级相等，则 U 可表为 式中，? 代表载流子寿命， 如果在 P 型区中，且满足小注入条件，则 同理，在 N 型区中， 于是得 （1-18） （1-19） （1-17） 例 1.4 将电子的扩散电流密度方程 (1-16) 同理可得 空穴的扩散方程， （1-23） （1-21） 代入电子的连续性方程 (1-12) 设 Dn为常数，再将 Un 的表达式代入，可得 电子的扩散方程， 例 1.5 对于泊松方程的积分形式(1-6)， （1-25） 也可对积分形式的基本方程进行简化。 在 N 型耗尽区中可简化为 式中， ，分别代表体积 V 内的电子总电荷量和非平衡电子总电荷量。 例 1.6 对于方程(1-7) （1-7） 将电子净复合率 Un 的方程(1-18)代入， 并经积分后得 （1-26） 定态时， ，上式可再简化为 （1-27） 方程（1-26）~（1-29）是电荷控制模型中的常用公式 ，只是具体形式或符号视不同情况而可能有所不同 。 同理，对于 N 型区中的少子空穴， 定态时， （1-29） （1-28） 分析半导体器件时，应先将整个器件分为若干个区，然后在各个区中视具体情况对基本方程做相应的简化后进行求解 。求解微分方程时还需要给出 边界条件。扩散方程的边界条件为边界上的少子浓度与外加电压之间的关系。于是就可以将外加电压作为已知量，求解出各个区中的少子浓度分布、少子浓度梯度分布、电场分布、电势分布、电流密度分布等，最终求得器件的各个端电流。 10nm制程的芯片将在2017年上半年发布，而7nm则会到2019年，更重要的是，英特尔将会在工艺达到7nm的时候使用新材料制造更先进的芯片，至于究竟会使用什么新材料，英特尔则没有公布。 三星称5nm工艺芯片制造完全没有问题 * 集成电路是信息技术产业的“粮食”，其技术水平和发展规模已成为衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志之一。 * 2013年12月和2014年7月，紫光集团将展讯和锐迪科分别以17.8亿美元和9.07亿美元纳入囊中，并从纳斯达克退市私有化。 * 微 电 子 器 件 电子科技大学 微电子与固体电子学院 任 敏 总学时：72 学时 其中课堂讲授 60 学时，实验 12 学时 成绩构成： 期末考试 70 分、期中考试 10 分、平时成绩10分、实验 10 分 期末闭卷考