6.1.2认识与检测半导体二极管.ppt

电子元器件检测与识别 电子元器件检测与识别 6.1.2认识与检测半导体二极管 项目要求: 通过对一个功率放大器的实际解剖，要求学生会识别半导体二极管（以下称二极管）的种类，熟悉各种二极管的名称，了解不同类型的二极管的作用，掌握用万用表检测二极管的方法。 　　 ② 正向导通：当外加电压大于死区电压后，电流随电压增大而急剧增大，二极管导通。 　　① 死区：当正向电压较小时，正向电流极小，二极管呈现很大的电阻，如 OA 段，通常把这个范围称为死区。 　　死区电压： 　　导通电压： ? í ì = on V 0.2 V ~ 0.3 V （Ge） 0.6 V ~ 0.7 V （Si） 　　结论：正偏时电阻小，具有非线性。 　　（1）正向特性（二极管正极电压大于负极电压） 1.1　半导体二极管 ? í ì = (Si） V 0.2 V 5 . 0 T V (Ge） 　　② 反向击穿：若反向电压不断增大到一定数值时，反向电流就会突然增大，这种现象称为反向击穿。 　　① 反向饱和电流：当加反向电压时，二极管反向电流很小，而且在很大范围内不随反向电压的变化而变化，故称为反向饱和电流。 　　（2）反向特性（二极管负极电压大于正极电压） 　　普通二极管不允许出现此种状态。 　　结论：反偏电阻大，存在电击穿现象。 　　二极管属于非线性器件 1.1　半导体二极管 　　3．半导体二极管的主要参数 　　（1）最大整流电流 IF： 　　二极管长时间工作时允许通过的最大直流电流。 　　二极管正常使用时允许加的最高反向电压。 　　使用时应注意流过二极管的正向最大电流不能大于这个数值，否则可能损坏二极管。 　　（2）最高反向工作电压 VRM 　　使用中如果超过此值，二极管将有被击穿的危险。 1.1　半导体二极管 曲线分析 正向特性 只有当正向电压超过某一数值时，才有明显的正向电流，这个电压数值称为“门限电压”或“死区电压”用UT表示。对于硅管UT为0.6～0.8伏；对于锗管UT为0.2～0.3伏。一般情况下，从曲线近似直线部分作切线，切线与横坐标的交点即为UT。 随着电压u的增加，电流i按照指数的规律增加，当电流较大时，电流随着电压的增加几乎直线上升。 不论硅管还是锗管，即使工作在最大允许电流，管子两端的电压降一般也不会超过1.5伏，这是晶体二极管的特殊结构所决定的。 反向特性 ?反向电流很小。而且相同温度下，硅管比锗管的反向电流更小。 ?反向击穿之前，反向电流基本不随反向电压的变化而变化，所以这个电流称为反向饱和电流。用IS表示。 ?反向饱和电流随着温度的上升而按照指数的规律增长。 图4.1 常用二极管的外型和封装形式（续） 知识2 二极管的类型与用途 二极管的外包装材料有塑料、玻璃和金属3种。按照二极管的结构材料可分为硅和锗两种；按制作与识别可分为点接触型和面接触型；按用途可分为整流二极管、稳压二极管、检波二极管、开关二极管、双向二极管、变容二极管、阻尼二极管、高压硅堆和敏感类二极管（光敏、温敏、压敏、磁敏等）。 1．整流二极管 整流二极管主要用于把交流电变换成脉动的直流电。整流二极管的结构为面接触型，其结电容较大，因此，工作频率范围较窄（3kHz以内）。常用的型号有2CZ型、2DZ型等，还有用于高压和高频整流电路的高压整流堆，如2CGL型、DH26型、2CL51型等。 选择整流二极管时主要考虑其最大整流电流、最高反向工作电压是否满足要求。常用的硅桥（硅整流组合管）为QL型。 知识3 二极管的检测 1．用万用表测试普通二极管的方法 普通二极管外壳上均印有型号和标记。标记方法有箭头、色点、色环3种，箭头所指方向或靠近色环的一端为二极管的负极，有色点的一端为正极。若型号和标记脱落时，可用万用表的欧姆挡进行判别。主要原理是根据二极管的单向导电性，其反向电阻远远大于正向电阻。具体过程如下。 （1）判别极性 将万用表选在“R×100”挡或“R×1?k”挡，两表笔分别接二极管的两个电极。若测出的电阻值较小（硅管为几百到几千欧姆，锗管为100??～1?k?），说明是正向导通，此时黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的则是负极；若测出的电阻值较大（几十到几百千欧姆），为反向截止，此时红表笔接的是二极管的正极，黑表笔接的是负极。 （2）检查好坏 通过测量正、反向电阻可判断二极管的好坏。一般小功率硅二极管正向电阻为几千欧姆到几兆欧姆，锗管约为100??～1?k?。 （3）判别硅、锗管 若不知被测的二极管是硅管还是锗管，可根据硅、锗管的导通压降不同的原理