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玻璃板制造方法
特 开:2012--240882
申请日期:2012.12.10
申请人:日本电气玻璃公司
请求项目1:使用底部装满锡液且上部空间被还原性气体覆盖的锡槽,利用浮法制造玻璃板的方法,在上述锡槽的上部空间内测量浮游的锡化合物粒子浓度,依据此测量结果,控制向上述锡槽的上部空间的还原性气体供给量、上述锡槽的上部空间的还原性气体排气量、以及锡槽的上部空间的温度中的至少一项,以此为特征的玻璃板制造方法。
请求项目2:测量上述锡化合物粒子的浓度,是在锡槽的侧壁部设置若干的气体排气部最下游位置的下游处进行,以此为特征请求项目1记载的玻璃板制造方法。
请求项目3:上述锡化合物粒子的浓度测量是在锡槽的上部空间含有的锡化合物的水蒸气分压超过饱和蒸汽压的在锡槽的下游区域进行,以此为特征的请求项目1记载的玻璃板制造方法。
背景技术:众所周知,用于等离子显示器基板的玻璃板,由以锡槽为主要设备构成的浮法生产线成形。该锡槽是具有装满锡液的底部和充满还原性气体的上部空间的密闭结构的设备。上部空间的还原性气体是为了防止锡液的氧化,由氮和氢形成。这个由氮和氢形成的还原性气体,从锡槽的上部供给到内部,从锡槽的侧壁部和出口向外部排出。
用这样的方法生产浮法玻璃时,在成形的玻璃板上面,产生直径为数十μm2)变大后,会导致玻璃板的质量不好。
这个微小缺陷产生的原因是,在锡槽装满锡液的表面挥发的锡化合物,例如硫化锡(SnS)和氧化亚锡(SnO)在锡槽的上部和用于冷却玻璃的冷却器等的附设物体的表面凝结,凝结物或者是凝结物还原生成的金属粒子落到在锡液上漂浮的玻璃带上面。
为了减少这个微小缺陷,要适当控制从锡槽的上壁部供给的还原性气体的供给量(包含供给量的分布)和从锡槽的侧壁部与出口排出的还原性气体的排出量(包含排出量的分布),降低锡槽上部空间还原性气体中漂浮的化合物粒子的浓度。
浮法成形的玻璃带退火及冷却后,在线或离线检查玻璃带表面存在的锡化合物粒子造成的缺陷,一般是控制锡槽还原性气体供给量和还原性气体向锡槽外部的排出量,以使检查出来的缺陷密度比规定的数值还要小。
但是,从玻璃带在锡槽内成形到该玻璃带退火及冷却结束,需要几十分钟到一个小时左右的较长时间。因此,检查退火及冷却后玻璃带上面的缺陷,根据检查结果控制还原性气体的供给量和排出量时,检查结果与在锡槽的上部空间漂浮的锡化合物粒子的实际的浓度变化之间会产生很大的时间偏差。因此,适当对应在锡槽的上部空间锡化合物粒子的浓度变化会变得困难。
作为对应这种问题的措施,例如,在特许文件1中指出在成形玻璃带的锡槽内,使用激光二极管测量玻璃带表面上方的H2O浓度,控制在锡槽内供给的氮和氢的流量分布。
特许文献1:2007——505027
发明要解决的问题:但是,在特许文件1中指出的方法,在锡槽的上部空间测量H2O浓度,控制锡槽内供给的氮和氢的流量分布,如果锡槽内的温度和压力条件变化的话,H2O的浓度和锡化合物粒子的浓度之间的相关性可能会消失。因此,以控制H2O的浓度作为目标时,降低起因于锡化合物粒子的缺陷密度仍然是很困难的。
本发明是鉴于上述情况,在利用浮法成形的玻璃板中,以降低起因于锡化合物粒子引起缺陷密度为技术课题。
解决课题的方法:使用底部装满锡液且上部空间被还原性气体覆盖的锡槽,利用浮法制造玻璃板的方法,在上述锡槽的上部空间内测量浮游的锡化合物粒子浓度,依据此测量结果,控制向上述锡槽的上部空间供给的还原性气体量、上述锡槽的上部空间的还原性气体排气量、以及锡槽的上部空间的温度中的至少一项。在这里,对还原性气体的供给量的控制也包括对在供给量在锡槽内分布的控制。而且,也包括对还原性气体的排气量的控制,对在排气量在锡槽内的分布的控制。
利用这种方法,将锡槽的上部空间漂浮的锡化合物粒子的浓度作为目标测量,即使锡槽内的温度和压力条件发生变化,也不用担心控制目标失常。为此,能够正确预测起因于锡化合物粒子的玻璃板表面的缺陷密度。所以,把控制被测量的锡化合物粒子的浓度作为目标,如果能够控制向锡槽的上部空间供给的还原性气体的供给量、从锡槽的上部空间排出的还原性气体的排气量、及由锡槽的上部空间的温度范围形成的参数的全部或者一部分的话,就能够将由于锡化合物粒子在形成的玻璃板产生的缺陷密度降低到预先规定的数值。
在上述方法中,锡化合物粒子的浓度测量,最好是在锡槽的侧壁部设置若干排气部最下游位置的下游侧进行。
锡化合物粒子是经过以下三个步骤产生的。第一,在锡槽的底部装满的锡液和侵入锡槽内的氧或者是玻璃中所包含的硫酸盐反应,生成硫化锡(SnS)和氧化亚锡(SnO)。第二,这些硫化锡和氧化亚锡等的锡化合物变成蒸气从锡液表面挥发出去。第三,在锡槽的上部空间包含的锡化合物的饱和度(=水蒸气分压/饱和蒸汽压)超过1的区域,挥发的锡化合物凝结产生锡化
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