16V24ppm℃宽温度范围CMOS带隙基准源电路.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 1．6一V，24ppm／。C，宽温度范围 CMOS带隙基准源电路 马建斌12，计峰1，金湘亮2，陈杰2 1‘山东大学物理与微电子学院， 济南250100 2‘中国科学院微电子研究所， 北京 100029 摘要： 本文提出了一种与电源电压和温度无 这里VT=kT／q，k是玻尔滋曼常数，q是电 关的低输出带隙基准电路原理及结构。该 子电量。V岫是Q1的内建电压，它具有负的 电路基于0．18胁标准cMOS工艺制造，工温度系数大约为一2my／。C，而Vt具有 作电源电压在1．6V至2．8V的变化范围内，0．086my／。C的正温度系数。通过选择适当 能获得853mv的输出参考电压，在-20。C到的电阻R1，R2，R3的比例，带隙基准电路 120。C的温度范围内温度系数为24 的输出电压Vref将对温度非常不敏感。 ppm／。C， 在低于10kHz的频率下其电源抑制比为 一66dB。该带隙基准电路已成功应用于低功 耗CMOS图象传感器中。 I．简介 对电源，温度不敏感的基准电压产生 电路被广泛地应用于模拟和数字电路，如 模拟／数字，数字／模拟转换器以及闪存当 中。这种基准电压产生电路应当具有一定 的稳定性，不会随工艺参数，温度，电源 图l传统带隙基准电路结构 的变化而变化，此外电路还应当能够用标 传统带隙基准电路的输出电压是 准工艺制造。带隙基准源电路是符合以上 1．25V，和硅的能带隙电压基本相同。这个 要求且较流行的一种基准电压产生电路。 固定的输出电压对电路工作于低电源电压 传统的带隙基准电路由运算放大器， 下产生了限制。最近报道的一种电流型带 二极管和电阻组成。它的基本结构如图1 隙基准电路被认为有可能消除这种限制 所示[1]。在传统带隙基准电路中，运算放 [2]。但是在[2]中报道的电路需要低阈值 大器以V，和V，为输入，驱动电阻Rl和R2电压的晶体管，否则电路的电源电压仍然 的上端，使得X点和Y点稳定在近似相等 较高，高于2V。此外这个电路中所用电阻 的电压[1]。由此电阻R3上的电压降为两 的阻值较大，增加了成本[3]。在本文中， 个二极管的电压差，Q2的发射极面积是Ql我们所提出的电路在1．6V至2．8V的电源 的n倍，我们可以得出带隙基准电路的输 电压范围内正常工作，可输出853mv的稳 出参考电压为： 定参考电压，该电路具有较宽的温度范围， 在-20。C到120。C的温度范围内温度系数为 附=％，+篆％ 24 ^j ppm／。C，同时，在低于10kHz的频率下， r 1、 =VBEl+篙蚴警珥¨。 电路的电源抑制比保持在一66dB。 本文其余部分组织如下：第1I部分描 ．．98．． 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 述所提出的电路结构及其原理。第Ⅲ部分 给出电路的仿真结果。最后在第Ⅳ部分做 IRl=IR2=V面Be(3) 出总结。 II．电路结构及原理 流过电阻R3的电流与两个二极管的内建电