AlGaNAlNGaN+HEMTs电流崩塌效应研究.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 A1GaN／A1N／GaNHEMTs电流崩塌效应研究 李诚瞻刘 键刘新宇 (中国科学院微电子研究所， 北京100029) 摘要：本文采用A1N插入层改善材料结构，研究A1N插入层对A1GaN／GaNHEMTs电流崩 塌效应的影响。直流应力条件下，A1GaN／GaNHEMTs的输出电流显著减小，膝点电压和阈 值电压也有较大程度的退化，出现严重的电流崩塌现象；相同应力条件，AlGaN／AlN／GaN HEMTs的电流崩塌现象有显著改善，表明A1N插入层能有效抑制电流崩塌效应。A1N插入 层能增加异质结的带隙差△E。，提高AIGaN势垒高度，减小热电子向AIGaN表面遂穿，从 而加强沟道2DEG的量子效应，抑制电流崩塌效应。 关键字：AlGaN／A1N／GaN；HEMTs；电流崩塌效应； 热电子； 1 引言 GaNAlGaN／GaNHEMTs在高频、大功率方面的具有突出优势u’2【，已经受到广泛关注。 但是电流崩塌现象仍然是A1GaN／GaNHEMTs向实用化迈进面临的主要问题。大量文献报道， 在直流应力作用下或脉冲测试，器件的输出特性都退化明显，电流大幅度下降，出现电流 崩塌现象旧’4I。为了抑制电流崩塌，工艺上常采用Si批、Si02等介质进行表面钝化怕’6|。然 而，表面钝化只能缓解电流崩塌效应，并不能完全消除。 随着对电流崩塌效应的逐步了解，针对直流应力引起的电流崩塌，很多研究者通过 改善材料结构的方法抑制电流崩塌，并取得了很好的效果。Simin等人研究 AIGaN／InGaN／GaNHFET吲，发现这种双异质结构显著减小沟道电子溢出，并减小界面陷阱， 消除了器件电流崩塌效应；Fan等人研究6掺杂的A1GaN／GaNHFET旧。，这种平面掺杂结构 使能带异质结界面产生很大的突变，构成窄而深的量子阱，从而减弱电流崩塌；Weimann 等人生长高Al组分比的AIGaN／GaN异质结旧1，形成大能带带阶，强化沟道二维电子气的量 子限制，抑制电流崩塌。 本文利用加入AIN插入层的方法改善材料结构，并分别对A1GaN／GaNHEMTs和 AlGaN／A1N／GaNHEMTs施加直流偏置应力，观察电流崩塌现象。结果表明AIN插入层显著 地改善电流崩塌效应，进一步阐述AIN插入层抑制电流崩塌效应的机理。 2器件结构与工艺 结构自下而上分别是3umGaN缓冲层，llOnm的高迁移率GaN层，20rlm非掺杂AIGaN层， 1250cm2／V·S。 ×10“／cm2，1．6×10“／cm2，电子迁移率分别为1120cm2／V·S， 器件制备采用标准的光刻工艺和剥离工艺，使用ICP干法刻蚀技术实现器件隔离； ．．495．． 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 欧姆接触为Ti／AI／Ti／Au金属结构，在850。C 30s条件下N。氛围进行快速热退火(RTA)； 采用Ni／Au制备肖特基栅，栅长0．8um，栅宽120um；～次布线金属采用Ti／Au。 i—AlGaN20nm i—A1GaN20rim AlNlnm GaN3um GaN3um Sapphire Sapphire (a)A1GaN／GaN结构 (b)A1GaN／A1N／GaS结构 图1、AIGaN／GaNHEMTs的两种外延材料结构 3结果与讨论 器件采用HP4155进行直流特性测试和施加直流偏置应力。直流特性测试和施加直流 应力都在暗场中进行，以避免光照的影响。两种器件施加直流偏置应力相同，源漏电压 免自热效应的影响；足够大的源漏电压，使