Co掺杂ZnO纳米粒子的光电气敏特性研究.pdf

● 2006年全国太阳能光化学与光催化学术会议专辑 Co掺杂ZnO纳米粒子的光电气敏特性研究 杨敏幸，彭亮，王德军 (吉林大学，化学学院，长春，130012) ZnO作为一种宽带隙的多功能半导体材料越来越受到人们的重视，除了发 光特性以外，由于ZnO纳米粒子具有较大的比表面积、较高的表面活性和对周 围环境的敏感性等使其成为传感器制造行业中最有前途的材料【1．21。传统的半 度才能工作，这就为实际应用带来困难。我们利用光激发代替升温，以达到增 加载流子浓度的目的。由于ZnO仅仅能吸收紫外光，限制了它的应用，我们利 用过渡金属Co掺杂的方法引入杂质能级，．将材料能够吸收的光引入可见区， 进行光电气敏传感的检测。 。 个C02十的特征吸收峰。 图1．空气气氛下ZnO和C02+掺杂ZnO纳米粒子的表面光电流谱 的检测[4】4。实验在室温下进行，气敏检测装置与系统相连接，其真空度可达 2×10～Torr，检测装置可在原位检测不同吸附质对的IsPc的影响。 ZnO的禁带中形成了杂质能级，能量较低的可见光可以使电子从杂质能级跃迁 到ZnO的导带中。当电子．空穴对有效的分离后，外加一定的偏压形成回路， 得到了稳定的光电流信号。 为了深入研究传感机理，我们在对体系进行空气脱附后，选择了对电荷给 受关系不同的两种吸附质——02和乙二胺进行光电气敏传感的实验，结果如图 Torr 度达到5x101Torr时充入15．9 02，Ispc随着时间变化呈明显下降趋势(图 359 2006年全国太阳能光化学与光催化学术会议专辑 2)。这是由于02是电子受体，能够直接捕获受光激发而跃迁的电子，减少了 ZnO纳米粒子的表面形成自建场，使颗粒间的界面势垒增高【5】，阻碍了电子在颗 粒问的传输，也使电阻增大。因此当氧气吸附时，在这两种因素的共同作用下 这是由于乙二胺分子中的氨基能提供孤对电子，是强的电子给体。它可以直接 向ZnO导带中注入电子，使导带中的电子浓度增加，电子能够更容易越过颗粒 间的接触势垒，其结果是表面电导增加，电阻下降，IsPc增强。 图2．62 化情况 结论：本文通过Co掺杂ZnO纳米粒子，引入杂质能级，将表面光电流响应 扩展至可见区，同时在室温下检测了氧气和乙二胺吸附时IsPc的变化情况。结 果表明，乙二胺和O：分别是电子的施主和受主，它们分别使Co掺杂ZnO的表 面光电流上升或下降。这表明样品对吸附质具有一定的选择性，展示了金属掺 杂ZnO纳米粒子在光电气敏传感器应用方面具有的广阔前景。 nmeI。) 图3．620nm光激发下，吸附乙二胺后表面光电流的变化情况 参考文献： andActuatorsB [2】J．EChang，H．H．Kuo，I．C．Leu，M．H．Hon，Sensors84(2002)258-264． 109 [3】Z．Gui，J．Liu，Z．Z．Wang，L．Song，YHu，W．C．Fan，D．YChen，J．Phys．Chem．B (2005)1113-1117 108(2004) 3202—3206．