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CPD阴极的研究 张珂李季李兴辉 (中电科技集团第十二研究所阴极电子学研究室 北京 100016) 摘要：本文对可控孔阴极的制造工艺进行了摸索，着重描述了用光刻法和聚焦 离子束法加工CPD阴极，并给出了用聚焦离子束法加工的CPD阴极的伏安特性和 欠热特性。 关键词： 可控孔阴极； 发射均匀性； 光刻； 聚焦离子束 一．引言 近年来，随着军用微波管的发展，作为微波管心脏的阴极，也经历了较大的发 展，目前应用于真空微波电子器件的阴极电子源主要是Ba-W系列浸渍扩散阴极。由 于浸渍扩散阴极的载体钨海绵体是将钨粉压制后烧结而形成的，在钨粉颗粒度一定 的情况下钨海绵体的孔度只能通过压制时的压力和烧结时的温度来控制，因此很难 使多孔体中的孔均匀分布。这样形成的钨海绵体虽然是具有一定孔度的多孔体，但 这种多孔结构是随机形成的，钨海绵体中的孔散乱无规律，而且孔径大小差异也很 大，导致孔间的活性物质扩散速率有较大差别，阴极表面逸出功分布不均匀，这就 造成阴极发射电子分布不均匀性，从而影响电子束的质量。另外阴极发射表面上过 剩的浸渍物、不均匀的微孔间距以及一些盲孔的存在都会导致其发射不均匀。此外 在阴极工作期间，由于微孔内浸渍物的消耗，钡向阴极表面的补充速率必然会下降， 这就需要提高阴极工作温度来保证足够的电流密度。但提高工作温度，相应发射物 质蒸发就大，这会直接影响阴极的使用寿命和整管特性。因此改进浸渍海绵体阴极 的性能，提高其发射均匀性是非常重要的。 ledPorosDi CPD(Control spenser)可控孔阴极是通过表面改性及微细加 ity 工技术精确控制阴极表面材料及表面孔径大小和孔阵分布，从而达到改善普通扩散 阴极发射均匀性的目的。CPD阴极发射面由一层很薄的带有均匀的孔阵(或槽)的 钨箔(或其它合金箔)构成。CPD阴极具有发射电流密度大、活性物质蒸发少、寿 命长和表面发射均匀性好等诸多优点。国外的研究及使用Ⅲ的结果表明CPD阴极具 有最小的表面粗糙度及高的发射均匀性乜1，对进一步改善扩散阴极的性能具有很大 的潜力，因此它是一种非常有发展前景的阴极。 本文根据现有的工艺条件对可控孔阴极的制造工艺进行了尝试性的探索，并用 聚焦离子束法加工出了性能较好的CPD阴极，为国内CPD阴极的研制提供了良好的 开端。 二．CPD阴极的制各 I、可控孔层的选择与制备 目前可选择的可控孔层材料主要有钨、钼、锇、铱及其合金等。用等离子 284 u 体溅射沉积的方法在阴极基底上涂覆厚约2～5m的锇膜或铱膜，然后直接进 行微孔的制备。该方法是在M型阴极的基础上结合可控孔阴极的特点进行的改 进。“M”型阴极在支取同样电流密度下，阴极的工作温度更低，寿命更长。而 且具有很强的抗中毒能力，即使中毒，稍加激活就能很快恢复。在覆膜阴极中 u 膜厚度通常为O．5m左右，膜太薄会减少阴极寿命，如果膜太厚又不利于钨基 底中的活性物质向阴极表面的扩散。离子轰击致使阴极表面锇膜或铱膜的减少， 会导致阴极发射明显下降口1。不同与以前的CPD阴极HM5¨印订1(在可控孔层上覆 0．5u um的锇膜或铱膜， m左右的锇膜或铱膜)，我们在阴极基底上沉积厚约2～5 然后直接在锇膜或铱膜上制出所需的均匀孔阵，这样不但可以改善阴极的发射 均匀性，还可以提高M型阴极的耐离子轰击能力，并且工艺简单，易实现。 2、微孔加工方法的选择 根据现有的微细加工工艺条件，并结合试验要求，将加工微孔的方法介绍如下： 1)光刻+反应离子刻蚀法(RIE)。 光刻是一种图象复印及刻蚀相结合的微细加工技术。首先利用各种曝光方 法将膜底图形精确地复印到涂覆在待刻蚀材料表面上的光致抗蚀剂(光刻胶) 上面，抗蚀剂曝光和未曝光部分的性能完全不同；然后在光刻胶的保护下进行 选择性刻蚀，从而在待刻蚀的材料上得到所需要的图形。 由于要刻蚀的微孔深宽比较大，因此选用干法腐蚀中的反应离子刻蚀。侧向刻 蚀小、各向异性好是干法刻蚀的最大优势；由于干法刻蚀时不存在