CuIn1xGaxSe2薄膜沉积过程中富Cu量对薄膜特性的影响.pdfVIP

化合物半导体和空间用太阳电池及材料 ．249． Cu(I 膜特性的影响术 何炜瑜。孙云敖建平何’青刘芳芳 李凤岩 周志强 李长健 南开大学光电子技术研究所天津300071 【摘要】 本文采用三步共蒸发方法制备Cu(Ga。Inl．。)Se2薄膜，在第二步结束达到最大 薄膜结晶质量、结构特性及电学特性的影响。测试表明，薄膜的Cu／III原子比 度减小；‘最大富Cu量较大的薄膜结晶质量较好。， 【关键词】 Cu(Gajnl．I)Se2(CIGS)共蒸发三步法Cu。Sc EffectofMaximumCuRatio CIGSThinFilm during Deposition HE SUNYunAO HE LIU U ZHOU U Weiyu JianpingQing FangfangFengyanZhiqiangChangjian Instituteof Photo-electronics，NankaiUniversity，Tianjin，300071 0引言 力的太阳电池，采用共蒸发三步法制备的CIGS薄膜，其电池的光电转换效率已达到19．5％ll】。 存在，在薄膜的生长过程中起着重要的作用【2“】。但是Cu。se的电导率很高，在薄膜生长的 后期需要调节Cu含量以满足制备高效电池的要求bJ。 晶质量的影响，对实验结果进行了测试分析。 1实验 CIGS薄膜的制备采用共蒸发三步法嘲，衬底是溅射金属Mo电极的sodalime玻璃。在 ·项目资助：国家高技术发展计划(2004AA513021o ·250·中国太阳能光伏进展 调节Cu组分以满足制备高效电池的要求。本文实验第二步沉积时间分别为18分钟(样品a) 子比达到最大值，’此时的Cu／III比即为最大富Cu量Cu／III。。。 X射线衍射仪(xgo)、日本 试仪测试薄膜的电学特性，用荷兰Panalytical公司的X’Perpro 日立公司的S～3500N扫描电镜(SEM)、英国Ranishaw公司的In via型拉曼光谱仪(Raman) 测试薄膜的结晶质量并对结果进行了分析。 2结果与讨论 2．1 CIGS薄膜组分与电学特性+，‘ CIGS薄膜是_种多元化合物，其电学性质受由于计量比偏离而产生的固有缺陷控制【．n。 表l是薄膜电阻率、霍尔系数及载流子浓度等与Cu／III原子百分比的关系。其中采用XRF 测试元素成分，台阶仪与霍尔测试仪测厚度及电阻率等电学参数。从表中可以看出，样品a 穴浓度增大两个数量级，、达到102％m_1，电阻率降低，可能是由于cu。se电学性质的影响。 表1 薄膜电阻率、霍尔系数及载流子浓度等与Cu／lll原子百分比的关系 Cu／III 厚度 粗糙度 方块电阻 ’电阻率 霍尔系数 迁移率 载流子浓度 样品号 (％) (nm) (Q·cm)：(m2／c)(cm2jV·s)(cm。3) (儿m) (Q／sq) 样品a 103 2．9 145 690．6 0．2003 0．37 5．36 5．81E+18 样品b 118 2．9 101 90．240．026170．00416 0．461 5．17E+20 2．2最大富Cu置对结晶质量的影响‘ 。 样品a与b的扫描电镜测试结果如图1所示：从图中可以看出，表面存在很多细小的晶 粒，可能是富Cu条件下产生的Cu。se晶粒，在图1a中可以看到细小晶粒下面的微米尺寸的