cSi表面的熔化及αSiSi薄膜晶化行为的分子动力学研究.pdf

旦生茎■塑!塞堡塑鳖些墨!：璺芝曼蔓堕曼垡堑塑塑坌±垫垄生婴塞 兰! c—Si表面的熔化及q—Si／Si薄膜晶化行为的分子动力学研究’ 周少白，陈立桥，杨瑞东，杨 宇 (云南大学材料科学与工程系，云南昆明650091) 摘要：采用S—W势运用分子动力学方法对硅晶表 数，均方位移，多面体结构分析等对整个模拟过程进 面的熔化及a—Si／Si薄膜的晶化进行了模拟。模拟结行微观结构表征。在熔化部分，获得了熔化温度与Si 果表明：硅晶表面的熔化温度为1858K；降温过程中，原子的相变活化能，模拟结果与试验值较为相近，证明 先用过冷的方法得到非晶薄膜结构，其非晶转变温度 了s—w势对相变模拟的精确度较高。而在晶化部分 为1230KI再用较慢冷却速率对非晶薄膜进行降温晶 采取了在高温区快速冷凝得到a—Si／Si薄膜结构和非 化，得到不同温区的晶化方向咀度薄膜的结晶主要温 晶转变温度，在低温区采用较慢冷却速度的方法得到 区为1200～900K左右；并就晶化方向与已报道的文 了不同温区的晶化方向和主要的结晶温区。 献进行了比较和解释。 2计算机模拟条件及模拟过程 关键词：硅；分子动力学模拟；熔化；晶化 中图分类号：TN304．12 文献标识码：A 2．1势函数的选取 文章编号：1001—9731【2006)增fⅡ一0347—05 分子动力学模拟结果的准确与否首先取决于系统 1引言 bet势oo作为描述原子间相互作用的多体势。相比硅 硅作为主要的半导体材料，其物理特性一直是微 电子领域的重要研究方向o“]。通常，材料的宏观性 够较好地给出晶体硅的体性质[10,ll,Zt]。 质主要取决于其微观结构，而微观结构又由其相变前 S_w势给出体系原子间相互作用势能表示为： 的母体结构及其演变过程决定，半导体薄膜也不例外， 币=∑2(i，』)+∑q。(i，J，＆) (1) 其结晶程度直接影响其物理特性。近年来，随着各种 I-·r i,j，^ ij zJ^ 半经验势和经验势的发展，分子动力学在精确研究材 式中包含两体和三体相互作用势能项．其中，两体相 料的结构演变方面发挥着越来越显著的作用，一些发 互作用势能项为 生时间非常短、试验难以得到的无序体系熔化及晶化 砘(i，J)一叮2(r』．，／a) (2) 过程结构的演变信息，都可以通过计算机模拟得到。 三体相互作用势能项为 对于硅的熔化及”Si／Si薄膜晶化的计算模拟研究，目 功(f，j，b)一叮3(r，．j／a+r。／a) (3) 式中r。，ri,k分别为i．j和i，k原子间距离。其中 前国内文献报道较少，国外在2000～2004年S．Mune— toh，T．Motooka和KanNishihira等人相继报道了 Si的SPE模拟生长机理[5]，缺陷形成过程n““，温度 十1／3]2 (5) 梯度对外廷生长的影响[63等研究成果，2003年，K． yl，y2b Gartner又用s—w势模拟了si不同大小元胞的固相 3三个原子所形成的／j与娩 外延生长，大大推动了分子动力学在si基材料生长方 [10]，ojik是由i，J，k