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GaAs+HEMT低噪声放大器设计.pdf
V01．28
鳞28卷专矧 应用光学 Sup．
of
2007年12露 JournalAppliedOptics Dec．2007
文章编号：1002—2082(2007)SO-0020—04
GaAs
HEMT低噪声放大器设计
何 琳，牵德昌，姜雨男，曲 越
(西安电子科技大学技术物瑰学院，陕西西安710071)
摘要：分析了低噪声放大嚣稳定性、噪声系数等重要技术指标，论述了低噪声放大器(LNA)及
HEMT)低噪声放大
兰格耦舍器的设计方法。根据设计指标选择富士通公司的FHXl4LG(GaAs
管，载雳Smith瑟凝进行了嚣配电路砖设诤。采弱乎衡放大器有效逸改善了输入驻波龙。最终两级
放大器在8GHz～12GHz频率范围内增益20dB，噪声系数≤1．15dB，输入、输出驻波比1．
65，带内增益平坦度40。76dB。
关捷魂：LNA；乎衡放大器；噪声系数；增益
中图分类号：TN722 文献标志码；A
ofGaAsHEMTlownoise
Design amplifier
HELin，LI Yu—nan，QUYue
De—chang，JIANG
(SchoolofTechnical 710071，China)
Physics，XidianUniversity，Xi’an
and ofthelownoise
Abstract：The amplifier(LNA)areanalyzed．A
stability，noisefiguregain
ofLNAand is tothe
supper
designapproach Langecouplerdiscussed．Accordingdesigngoal，a
lOWnoiseFHX14LGwaschoseninthis Smithchartwas tothe of
design．The applied design
circuitandtwo wereusedto the ratio．
couplers improveinputstanding—wave
matching Lange
Thesimulationresultshowsthatthe hasthe dB，the
designedtwo-stageamplifier gain20
noise and
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