GaAs中自旋极化依赖的电子自旋相干和电子弛豫动力学研究.pdfVIP

第1H月}■#R《光≠性m#术Ⅻ讨台(oPcM’2008)镕女塑 参考文献 l 蹦ed哪n JP，P，口f swlh¨自rDNA AE，c}啪bronJc，sauvagc MoI啪l¨Li曲t RⅢbp订：棚ppz)”J Am chc札soc【』】，【990，112．4960枷62 2 Nl柚“(计亮年)Tmndsmmo‘g删cchemis“y，7，99(2001) xlao-Hmzou，Ll卸g 3 H10n BDNA Amchm c，LInc01n P，Nom6n BIndl唱of△-and^·fRu(pben)2DPPz]”Jsoc【J】． 1993115。3“＆0454 4 Sch㈣r TJ R∞onance Io m，Batcs ElcctronIc WD．MeycrApplIcatlo“of R猢S哗troscopy S帆cm…M啪l EM∞nDclocall髓llo… CompI“hclt卅S眦$hcJ【ed-S协te0rderIng孙d 6422 5 MA H cmcIcn‘ ㈣10nfmm Baldo．DFO’Bncn，YYouaJ，H1911 pho口ho删t o喀扎lc elec盯。l…escenc拈vlc 5I一154 estNamn㈨1998．395，1 6 AdaI FInt0b站Ⅳa㈣ofme mkmedI出ln 0l咖EJC，HuD，Hm扣锄n Koy me。t‘gh}Swm” AmclIem Me曲an舯of【Ru(phen)2dppz】2+Jsoc[J】．1997，119：1145扣11467 GaAs中自旋极化依赖的电子自旋相干和电子弛豫动力学研究 滕利华余华粱文锦辉林位株赣天树 中^走学光电材料与技术圜末重点实验室，物理科学与工程学院，广州510275 E—maIl：【肌g¨hua76@g…鲥∞m 半导体巾电子的D旋自由度以其在自旋屯子器件咀及量子计算等方面的潜在应用前景而日益引起人 们的关注”oJ。目前．已经提出自旋晶体管模型和利用电子自旋量子位进行量子计算的设想”』。然而，这 些应用都依赖于高的自旋极化和长寿命的相干弛豫的获得。本文利用t秒时间分辨圆偏振光和线偏振光 抽返一探测光谱在96K的低温F研究了v01m结构中本征体GaAs中电子自旋相干和电子弛豫动力学随电 子能量的演化。电子能量依赖的自旋相干及弛豫动力学演化结果如图l所示，宴线表示右旋圃偏振光抽 运一探测获得的饱和透射量子拍，虚线为相同激发载流子维度下线偏振光抽运一探测时的饱和透射强度 变化。量子拍的特征随光子自E盒演化．首先．量 子拍的相位在I558cv咀E时出现反相1800；其 次，量子拍的振幅随光子能量的改变早非单调性 变化．光于能量在l5}l53ev和l55“I609ev 的范围内时量子拍的振幅随光于能盘的增大而增 大，光子能量在l53．I558ev和l609．165“的 范围内时，量予拍的振幅随光予能量的增大而减 小，带底附近(152evl以及l65ev处量子拍振幅 很小，l558ev处量子拍的振幅儿乎为零；最 后，在500口s后量子拍振幅趋于零时，虚线和实 线趋于重台，因为此时自旋己退相干，自旋极化