GaN_SinpnHBT特性研究.pdfVIP

第36卷 第 1期 电 子 器 件 V0l_36 No．1 2013年 2月 ChineseJournalofElectronDevices Feb．2013 GaN SinpnHBT CharacteristicsofStudy ． — — DONGGuoxiang，LIJianqing (InstituteofPh~walElectronics，UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina，Chengdu610054，China) Abstract：GaN／Siheterojunctionbipolartransistorcharacteristicssimulationwasstudiedusingtwo．dimensional devicesimulationsoftware．GaN／Siheterojunctionbipolra transistortoestablishaseriesofreasonbalyaccurate physicalmodels，includingincompleteionizationmodel，bandnarrowsmodel，mobilitymodelandthecompositemode1． TheresultsfromexperimentshowedthatintheGaN／Sihetero-junction，theturn—onvoltageis2．5eV．Ib=0．2mA，the currentamplificationfactoris100timesandthebreakdownvoltageis900V，whichmakethishetero-junctionbipolor transistorobtainagreatapplicationprospectedintheraeaofhigh—powerdevices．Th ehighestcut—offfrequencyis100 GHz，SOthatitcanworkintheRFandmicrowavefrequencybands． Keywords：heterojunctiondevice；physicalmodel；simulation；GaN EEACC：2560J doi：10．3969／j．issn．1005-9490．2013．01．002 GaN — SinpnHBT特性研究 董果香，李建清 (电子科技大学物理电子学院，成都610054) 摘 要：采用二维器件仿真软件对GaN／Si异质结双极晶体管进行了特性仿真研究。对GaN／Si异质结双极晶体管建立了合 理准确的物理模型，包括不完全电离模型、能带模型、能带变窄模型、迁移率模型与复合模型。结果表明，GaN／Si异质结开启 电压为2．5eV。在 Ib=0．2mA时，电流放大倍数为 100倍。击穿电压为900V，使其在大功率器件方面有很大应用前景。最 高截止频率为 100GHz，使其可工作在射频和微波频段。 关键词 ：异质结器件；物理模型；仿真；GaN 中图分类号：TN303 文献标识码 ：A 文章编号：10O5—949O(2O13)01—0005-04 GaN半导体材料作为新型宽禁带材料，在光电 GaN／Si／Si双极晶体管的发射结为异质结，比 领域和高功率高频电子器件方面有很大的应用 。 同质结具有更高的注入效率，产生了许多优 良的性 在现有的工艺条件下，GaN单晶尺寸很难生长较 能，例如具有更高的载流子调制能力和更低的导通 大，GaN器件多以蓝宝石或 SiC为衬底 [21。GaN与 电阻。在HBT掺杂分布中，基区掺杂大于发射区