GaN纳米线的制备与表征.pdfVIP

助 锨童孝 斟 2006年增刊(37)卷 GaN纳米线的制备与表征’ 王 非1’2，杨 冬1’2，李春华1’2，梁建1’2，马淑芳1”，刘旭光3，许并社1’2 (1．太原理工大学材料科学与工程学院，山西太原030024； 2．太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室，山西太原030024； 3．太原理工大学化学工程与技术学院，山西太原030024) 摘要： 采用化学气相沉积(CVD)法，以甩涂在Si长机理的研究分析。 (111)St底上的Ga。O。薄膜和NH。作为原料，在无催 2 实验 化荆条件下成功制备出GaN纳米线。采用X射线衍 射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、能量散射谱首先分别将Ga203的乙醇悬浊液用普通匀胶机甩 (EDS)仪和高分辨透射电镜(HRTEM)对样品进行了 涂在衬底硅片上，形成一层均匀白色薄膜，干燥后将其 成分和结构分析，并讨论了其生长机理。结果表明：生 置于石英舟中；当炉温升至1000℃时，将石英舟置人高 成的GaN纳米线平直光滑，直径在30～80nm内，长 温管式炉的石英管中。预抽真空后，通氩气(99．999％) 度可达几十微米，纳米线为六方纤锌矿结构的GaN晶 体。 次；然后关闭氨气，通人NH。(99．999％)，流量为 关键词： 氮化镓；化学气相沉积；纳米线 中图分类号：TN304 文献标识码：A 从石英管中取出，发现在衬底硅片上的薄膜由原来的白 文章编号：1001—9731(2006)增刊一0850—02 色变成了淡黄色。产物的X射线粉末衍射(XRD)是常 D／max3C 温下在Rigaku X射线衍射仪上进行的j采用 1 引 言 GaN是一种直接带隙的Ⅲ一V族化合物半导体材 料，室温下禁带宽度为3．4eVCll。因其具有优良的力 2010高分辨透射电镜(HRTEM)进行表征。 学性能、高发光效率、高热导率、耐高温、介电常数小、 2结果与讨论 抗辐射、耐高温、耐酸碱等特性[2]，被誉为第三代半导 体材料，是制作高亮度蓝绿发光二极管(LEDs)、激光 图1是所制备样品的XRD图谱，硅衬底的衍射峰 二极管(LDs)、紫外探测器、大功率半导体器件和其它 光电子器件的理想材料[3]。其一维纳米结构，在高电 子迁移率纳米电子器件、全色平板显示等领域具有广 泛的应用前景【4]。近年来由于一维GaN纳米材料优勒指数，而且XRD图谱中没有出现其它杂峰，证明该 良的物理特性和制备纳米光电子器件的巨大应用前 反应产物为纯度较高的六方纤锌矿结构的GaN单晶。 景，因此，它的制备和表征与应用研究倍受关注。1997 年范守善等人首次利用碳纳米管作为模板制得了 GaN纳米管[5]Cheng等人在阳极铝膜上组装出了高 度有序的GaN纳米线[63；Lieber和Duang等人基于气 一液一固(VLS)机制，用激光剥离GaN靶成功地制备 出了GaN纳米线‘73；此外，升华法[引，直接反应法‘引、 化学气相沉积(CVD)法[10]和两步生长工艺‘113也都可 用来制备GaN纳米线。但在这些有关GaN纳米线研 究的报道中，有些需要加入催化剂促进生长或者依靠 模板的限制作用，有些对生长环境及设备的要求较高， 因此，制备纯净GaN纳米线仍无法实现。本文首次采 用甩涂工艺，利用CVD法在高温管式炉中成功合成出 高纯度的GaN纳米线，并对其进行了结构表征以及生 自然科学基金国际合作资助项目(5031114