GaAs基MMHEMT和InP基LMHEMTMBE生长.pdfVIP

崔利杰木 曾一平王保强 朱战平 李灵霄林兰英 (中国科学院半导体所新材料部北京912信箱100083) +Email：ijcui@red．semi．at；．cn 底上生长大失配的MlVl．HEMT的材料的性能。结果发现，二者的电子迁移率与电子 浓度都非常接近，这说明我们采用阶梯式变组分的方法生长lVl／V1．HEMT的buffer缓 冲层是成功的。 关键词MBE，GaAs，InP，HEMT，TEM 1引言 InP基HEMT由于其高跨导、高增益、高的截止频率以及低噪声，因而受到人们的欢迎 [1，2】。但InP衬底与GaAs衬底相比，其造价高昂、材质软、不易抛光、不易得到较大尺寸 (InP衬底尺寸目前只能达到4英寸，而GaAs能达到6英寸)，由于这些缺点，使得InP基 基HEMT上部有源区的结构不变，这样势必得到与InP基HEMT接近的材料性能，由于这 样的HEMT的衬底与有源区之间存在约3。8％的晶格失配度，人们称这样的HEMT为 metamorphic 上部的有源区之间生长好bu舵r缓冲层，使得缓冲层通过产生失配位错来调整衬底与有源区 之间的晶格失配，同时抑制这些失配位错向有源区的传播。本文中，我们采用阶梯式变组分 的缓冲层，生长了MM．HEMT材料，并与同结构的InP基LM．HEMT材料性能做了比较。 2实验 II GaAs基MM．HEMT材料按照图l进行设计。样品是在GENMBE系统上生长的，以 长五个台阶式变组分的InAlAs缓冲爱，In组分依次递增约0．1，每层厚度为100nm，随后再 生长100nm的Ino52Alo48As缓冲层，此一阶段的生长温度为400℃。接着依次生长20nm的 6掺杂层(掺杂浓度4×1012／cm2)和20rim Ino53Gao47As沟道层、6rim的Ino．记Alo．48As隔离层、Si 的Ino52AIo InP基LM—HEMT材料在生长过程中的高能电子衍射(RHEED)监测得知，整个生长过程均保持 二维生长。 图lMM．HEMT材料结构示意图 n Ga As 7nm Ino 53 047CapLayer In Al As 20re-． 0．52 0．48 Si 1 8-Doping(4x012／cm2) In AI As 6nm 0．52 048 Spacer In Ga AsChannel 20nm 0．53 0．47 In0．52AIn48As lOOnm In AI As 100rim 0．52 o．48 Ino柏Al060As loonm Ino30Al0．70As lOOnm In020Aln舳As lOOnm Inolo～o∞As lOOnm GaAsBuffer 80nm