Ge2Sb2Te5抛光液的电化学及其化学机械抛光研究.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 Ge2Sb2Te5抛光液的电化学及其化学机械 抛光研究 刘奇斌术，张楷亮，王良咏，封松林，宋志棠 中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程研究中心，信息功能材料国 家重点实验室，中国科学院研究生院 摘要：Ge。Sb。Te。目前被公认为在相变存储器(PCRAM)中最好的材料。本文主要是从电化 学角度考查Ge。Sb。Te。薄膜在化学机械抛光液中作用。我们研究了GezSb。Tes薄膜在不同的 S11287， PH值和H。O。浓度下的电化学特性。在实验中我们用的电化学设备是Solartron 主要测试了Ge。Sb。Te。薄膜在溶液中的开路电位，动电位扫描。开路电位结果显示在PH值 等于10时，出现钝化行为，当PH等于11时，钝化开始向活化转变，当PH为12时，薄 膜一直处于活化状态。在动电位扫描过程中，在不同的PH值和H：0。浓度下，薄膜的扫描 曲线形状是相似的，变化也不大，说明薄膜腐蚀的反应机理是相同的。利用电化学实验结 果，配置出GST抛光液，用于相变存储器的结构制作过程中。 关键词：GezSb：Te。，相变存储器，化学机械抛光，电化学 1．引言 早在1968年，S．R．Ovshinsky就观察到了硫系合金的相变现象，通过控制所加的温度 和时问，就可以实现合金的相变[1]。合金发生相变，其电阻也随之变化，于是提出了相 变存储器(PCRAM)概念[2]。随着器件尺寸的减少，存储器要求的密度也原来越高，相变 存储器被认为是比较理想的下一代非易失性存储器。相变存储器的关键材料是Ge—Sb—Te 合金系列，目前大家公认为最好的材料是Ge：Sb。Te。，简称GST。 随着集成电路制造技术的发展，器件尺寸原来越小。为了满足光刻工艺平坦化要求， 化学机械抛光(CMP)技术就应运而生了。目前，CMP已经广泛地用于芯片制造中的深亚微 米多层互连技术[3]。高性能的PCRAM器件需要更小的特征尺寸，因此CMP就成为其制造 过程中的关键工艺。另外在IC制作过程中的镶嵌工艺就是利用CMP技术的结果[4—6]。在 PCRAM的制作过程中，要制作相变存储器纳电子结构，就是用到镶嵌工艺，所以就要对GST 进行抛光。虽然文献上对GST的物理性能和材料性能研究很多，但是对GST的化学机械抛 光的文献几乎没有，所以研究GST的化学机械抛光对于制造PCRAM器件来说具有重要的意 义。本文主要用电化学的方法来研究GST薄膜在抛光液中的各种成分对GST作用的影响， 这将是配置抛光液溶液的化学基础。同时通过电化学实验结果，指导配置GST抛光液，对 GST进行了化学机械抛光，制作了相变存储器器件结构。 2、实验过程 在我们的实验中，首先用磁控射频溅射方法在室温下将Ge。Sb。Tej薄膜沉积在Si(100) 衬底上，Ge2Sb2Te5薄膜厚度大约是200nm。 在做电化学测试之前，将硅片分割成lcm×lcm大小的样品，将样品首先放在酒精和丙酮 中去除污渍，然后在超净水中清洗干净，再用氮气吹干。电化学测试是在KOH抛光液中进 行的，并且使用了常规的三电极电位仪。电化学测试电池也是三电极系统：Ge：Sb：Te。薄膜 是工作电极，铂电极为对电极和通过Luggin毛细管连接的Ag／AgCl参比电极。开路电位 (OCP)和动电位扫描是用电化学工作站(Solartron，model1287A)通过微机控制测量。 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 在进行极化扫描之前，工作电极在抛光液中浸泡将近3小时，以保证测量开路电位的 稳定性。从开始浸泡的时候计算时间，测定工作电极的开路电位，观察开路电位随着时间 的变化。动电位扫描的速率是lmVs。 根据电化学实验的结果，配置适合GST抛光的抛光液，制作相变存储器器件结构。抛 光液的PH值10，H202的浓度为1％，所用的抛光磨料是SiOz。抛光片是3英寸的硅片上沉 积的GST薄膜，化学机械抛光是CETR公司型号为CP一4的抛光机上进行的。抛光过程中 的抛光压力是4psi，抛光时间是5min。 3、实验结果与分析 3．1开路电位(OCP)