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Ch11 電子學 §11-1半導體 §11-2 二極體 §11-3 電晶體 一.雙極性電晶體 二.場效電晶體 §11-4 微電子技術 例題：電晶體位於逆作用時，其主要用途為 (A)放大 (B)閉合開關 (C)切斷的開關 (D)變壓 (E)以上皆非。 答案：E 例題：電晶體位於飽和作用時，其主要用途為 (A)放大 (B)閉合開關 (C)切斷的開關 (D)變壓 (E)整流。 答案：B 例題：電晶體位於截止作用時，其主要用途為 (A)放大 (B)閉合開關 (C)切斷的開關 (D)變壓 (E)整流。 答案：C 3. BJT 的操作原理-以 pnp 為例： EB 間的順向偏壓： 射極區的電洞由於順向偏壓的作用而飄移到基極區，由於基極區很薄，大多數的電洞會繼續擴散進入集極區。 BC間的逆向電壓： BC 間的逆向電壓會擴大基極區與集集驅的空乏區，阻止基極區的自由電子流向集極區，但會將擴散進入基極區的電洞大部分掃入集極區，形成集極電流，僅有少數的電洞被基極區流入的自由電子中和掉，形成基極電流。 4. 通過 BJT 電極間的電流關係： BJT 在順作用模式下（E-B 接面為順向偏壓，C-B 接面為逆向偏壓），流經三個電極的電流大約保持一固定的比值關係。集極電流 IC 和射極電流 IE 的比值，通常以α表示之。集極電流 IC 和基極電流 IB 的比值，通常以β表示之 由柯希荷夫的電流節點定律得： 因此 β稱為電流增益，其值約在 80 ～ 200 之間。 或 例題：某電晶體的電流α值為 0.99，則其電流增益β值為 (A)1 (B)50 (C)99 (D)100 (E)1000。 例題：某電晶體的直流α為 0.99，當集極電流為 10毫安培時，其基極電流為 (A)6.8 (B)8.8 (C)9.4 (D)10.0 (E) 0.1 毫安培。 5. BJT 在電路中的接法： 電晶體三個電極中任何一極共用，其他兩極為輸入與輸出。其中基極不適合作為輸出端，集極不適合作為輸入端，故共可產生共基極、共射極及共集極三種不同的放大電路。 共基極 共射極 共集極 6. pnp 電晶體共射極電路的特性曲線： (1) IB-VEB 特性曲線 如果保持 VCE 的電壓不變，調整輸入電壓 VEB 並量取輸入電流 IB，可得 pnp 電晶體的 IB-VEB 特性曲線。 IB-VEB 特性曲線的形狀和二極體的電流－電壓曲線相似。 欲操作電晶體，E-B 接面的順向偏壓必須提高至導通電壓以上。 (2) IC –VEC 特性曲線 如果維持 VEB 不變，相當於維持 IB 不變，調整輸出電壓 VEC 並量取輸出電流 IC，可得 pnp 電晶體的 IC –VEC 特性曲線。 右圖中，當 VEC 甚小時，輸出電流 IC 隨 VEC 急劇增大，稱為飽和區。 當輸出電壓 VEC 在一定值以上時，輸出電流 IC 幾乎為定值，此區稱為順作用區。電晶體的放大作用，一般使用此區域。輸出電流 IC 與輸入電流 IB 幾乎成線性比例的關係。 (3) 電晶體的β值 在線性作用區，除了 IB 過大的情況外，IC 和 IB 有近似正比的關係。圖中β約等於 100。 7. pnp 操作原理與 npn 的比較： npn 電晶體的操作原理和 pnp 相同，只是電洞和自由電子的角色互換。 在 npn 中自由電子為傳送電流的多數載子。 由於自由電子對電場的反應較電洞靈敏得多，故在電路設計時，大多採用 npn 電晶體。 8. 電晶體的應用： (1) 放大訊號： RC RB +VC +VC C E RC 0V IC = 0 截止（關） (2) 數位開關 如下圖，因基、射極間沒有順向偏壓而截止，在此情況下，集、射極間處於斷路狀態。 如下圖，因電源 VB 提供足夠的順偏導通電壓 VBE，故集、射極間處於通路狀態。 IB IC≠0 +VB 飽和（開） 1. 場效電晶體的分類： 場效電晶體（簡稱為 FET）是利用電場來控制電流的大小，而且組成電流的載子僅限一種極性，即電洞或是自由電子，故又稱為單極性電晶體。 場效電晶體依其結構可分為兩類： 接面場效電晶體（junction field effect transister，簡稱為JFET） 金氧半場效電晶體（mental-oxide-semiconductor field effect transisteror，簡稱為 MOSFET）。 JFET已 為 MOSFET 所取代。和 BJT 相比，MOSFET可以做得很小，而且製程相當簡單。 2. 接面場效電晶體 JFET： 接面場效電晶體的結構： JFET 分成兩型：n 通道（簡記為 n-JFET）和 p 通道 （簡記為 p-JFET）。 JFET 有三個電極，分別稱為源極 S、汲極 D 和閘極 G。 n