第1章基本半导体器件.doc

通 化 师 范 学 院 教 案 课程名称 电子线路 课程类别 专业必修核心课 授课时数 68 学分 4 授课专业 物理学 授课班级 14级 教材名称 电子线路 教材作者 梁明理 教材系列 国家级规划教材 出版社及版次 第五版 授课教师 陈海霞 职称 副教授 所属单位 物理学院 二零一六年一月通化师范学院教案 章节名称 第1章 基本半导体器件 教学时数 2 授课类型 理论课 教学目标 1.3 双极型晶体管 教学重点 掌握晶体管结构，电流放大作用 教学难点 掌握晶体管电流放大作用 教学方法 讲授法、提问法 教学手段 板书、多媒体 教学主要内容及教学主要过程 备注 导入新课： 如果两个二极管放在一起形成的特殊结构、元器件。 1.3 双极型晶体管 1.3.1晶体管的结构及符号 结构：三个区：发射区、基区和集电区 三个极：发射极、基极和集电极 两个结：发射结、集电结 晶体管结构示意图 晶体管符号 生成类型：合金型和平面型 要实现电流放大作用，要求： 发射区掺杂浓度高； 基区薄且掺杂浓度低； 集电结面积大。 1.3.2 晶体管的电流放大作用 1.晶体管内载流子的传输过程 晶体管正常工作的外部条件：发射结外加正向电压VBE，集电结加上较大的反向偏压VCB。 管内载流子的传输过程 传输过程可分三步： 1）发射区向基区注入载流子，形成发射结电流IE ； 2）电子在基区扩散和与基区空穴复合，形成基极电流IB ； 3）集电结收集电子 ，形成集电极电流IC 2.晶体管直流电流传输方程 一、共基极直流电流传输方程 共基极电流放大系数： 共基极直流电流传输方程： 三个极之间电流关系： 共发射极直流电流传输方程 得出： 定义共发射极直流放大系数： 共发射极直流电流传输方程： 穿透电流： 三、共集电极直流电流传输方程 共集电极直流电流传输方程： 1.3.3 晶体管的共射组态特性曲线 输入特性曲线 分析： 时：集电结正偏，相当于两个二极管并联的正向特性。 时：曲线右移，集电结由正偏向反偏过渡，开始收集电子。 后，曲线基本不变，电流分配关系确定。 特性曲线测量电流 输入特性曲线 二、输出特性曲线 输出特性曲线 三个区： 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 饱和区：vCE减小到一定程度，集电结吸引电子能力削弱。 iB失去对iC控制作用，失去放大作用，饱和。饱和压降VCE(sat)很小。饱和时集电结、发射结都正偏。 截止区：发射极和集电结均反偏。反向饱和电流存在。 1.3.4 晶体管的主要参数 一、电流放大系数 1）共发射极电流放大系数 直流电流放大系数： 交流电流放大系数： 共基极电流放大系数 直流电流放大系数： 交流电流放大系数： 二、极间反向电流 1）集电极－基极反向饱和电流ICBO 2）穿透电流ICEO 三、频率参数 1）共发射极截止频率 2）共基极截止频率 3）特征频率 极限参数 1）集电极最大允许电流ICM： 2）集电极最大允许耗散功率PCM 3）反向击穿特性： V(BR)CBO——发射极开路，集电极－基极间的反向击穿电压。 V(BR)CEO——基极开路，集电极－发射极间的反向击穿电压。 V(BR)EBO——集电极开路，发射极－基极间的反向击穿电压。 小结 本讲主要介绍了以下基本内容： 双极性晶体管的结构和类型：NPN、PNP 晶体管的电流放大作用和电流分配关系 晶体管具有放大作用的内部条件 晶体管具有放大作用的外部条件 晶体管直流电流传输方程 三种不同的连接方式：共基极、共发射极和共集电极 晶体管的共射组态曲线特性 晶体管的主要参数 本章小结 本章主要内容 载流子产生方式：本征激发和掺杂。 载流子的两种运动方式：扩散和漂移。 半导体二极管：单向导电性。 双极型晶体管：电流控制器件。 场效应管：电压控制器件。 三种