Lateral+Epitaxy+OvergrownLEOGaN导热系数的数值研究.pdfVIP

中国工程热物理学会 传热传质学 学术会议论文， 编号：063341 Lateral．Epitaxy 热系数的数值研究水 梁新刚 于新刚 清华人学航天航空学院，传热与能源利用北京市重点实验室，北京，100084 Tel：01 摘要：利用修正的Callaway模型对会杂质、位错、以及同位素的LEOGaN的导热系数进行了研究， 计算表明M位素对LEOGaN的导热系数列位索影响较大，而位错和杂质人十一定值时其值才对导热系 数产生影响。 关键词：导热系数，GaN，驰豫时问 1． 引言 III族氮化物的禁带宽度较大，而且是直接禁带。可以用做紫色、蓝色、绿色发光二 材料的缺陷较多，电子显微镜的的结果表明即使是最好的GaN外延的缺陷达到1010cm2。 为了减少因为应力引起的错位对材料性能的影响，LEO技术在GaN外延生长过程中得 到了应用，它的主要目的是利用在氮化镓缓冲层中加入周期性排列的条状二氧化硅，以 降低由于品格不匹配所产生的品格错位延伸到晶体内部。 目前光电予器件的散热已经成为设计中考虑的一个重要的问题，GaN材料的电学、 光学等方面的属性的研究已经比较完善，而导热系数的研究则报道的不够全面，而且多 K，1．7W／cmK。 _丁．window区的和缓冲区的LEO材料的导热系数，其值分别为1．5W／cm W／cm 为1．86k2．1K。Asnin等【5】利用扫描热显微镜得到LEO GaN／Sapphire的导热系数 。‘ 为k一1．7．1．8W．／cmK。 不足，首先忽略了同位素的影响，另外朱考虑不同声学支的影响，这在高温时是不合适 二二阶扰动理论，数值研究了含杂质和缺陷的LEOGaN的导热系数。． l：项I|资助 ’本文状得田家f_t然}：}学堆=：；；=Ⅱlf 1268 2．模型 Callaway模型在计算半导体的导热系数的过程中得剑了广泛的应用，但是存在一个 不足就是由于其采用了有效声学声子假设，未考虑声子导热过程中声学纵波和横波的分 别作用，Asen Palme等人【81，考虑了声子包含一个纵波两个横波三种模式，对上述模型 进行了修正，得到了修正的callaway模型。 K=KL+2砗 ，(1) 其中t，群分别表示纵波和横波的导热。根据Callaway模型 ．K=K，+E： (2) i代表声子不同的声学支 耻≯r箫出； (3) 1，为声速。 吒一=BuC02Texp(一OL3T) (4) 其中Bu≈72y2 导热系数的边界散射的驰豫时间可以简单的写为 气～=v／l (5) 其中，为特征长度。 Klemensll01最早研究了点缺陷的散射，他将点缺陷的散射归结为质量差异，相邻的 链接弹性常数的不同以及应变场的联合作用，将点缺陷的驰豫时间写为； 1(4rcv’) (6) f，～=VoFc04 r为点缺陷散射的强度囚子