LCOS驱动电路高压器件3040V研究.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 王文博，杜寰 中国科学院微电子研究所(100029) 摘要：本文结合LCOS驱动电路中的高压单管传输门的要求，设计了双漂移区厚栅氧 LDMOS的结构，实现传输高电压的要求。利用Tsuprem4软件对所设计的器件进行了物理模 拟，获得了沟道长度、漂移区长度、栅氧厚度等等各种实用的结构参数和漂移区、沟道区 等各个区域的掺杂浓度，确定了各区的注入剂量；利用medici软件模拟了器件的开启电 压、击穿电压、漏电流、驱动电流等性能参数，得到了源栅漏三极耐压均超过30V、漏电 流小于1E—IOA、驱动电流5．4mA的NIdOS晶体管；提出了可行的制造方案和工艺流程，为 LCOS高压驱动电路的集成提供了物理基础和工艺参考。 关键词：LCOS显示驱动；高压CMOS器件；LDMOS：双漂移区；厚栅氧；高压传输门 引言： LCOS显示是LCD与CMOS集成电路有机结合的反射型新型显示技术，LCOS作为新型显示 器件具备大屏幕、高亮度、高分辨率、省电等诸多优势。其应用产品被广大消费者和业内 人士看好，LCOS可能是HDTV的背投影技术发展的主要方向。目前LCOS的发展业者以英美 出的是我国上海华源和深圳创维已将LCOS作为重点产业化发展对象，但是其驱动芯片都 是来自于台湾或者国外，而在大陆相关的高压驱动研究才刚刚起步，有必要从事这项研究。 在一个完整的LCOS驱动电路中需要多种常压和高压的[dOS器件，本文只研究用作高压 传输门的这～单管。图～是单象素点的LCOS驱动电路的简图，其中的电容代表所驱动的 液晶象素点，由与之相连的I删IOS管传输高电压驱动。高压(30-40V)行扫描信号和列扫 描信号分别施加在驱动管的栅极和漏极，被驱动的电容连接驱动管源极。当电容被充电， NMOS的栅源漏各电极均为高压状态，栅关闭后要求源极保持高压，所以要求此驱动管三极 均能耐高压。电容值在～IOPF量级，为了保证电路 的运行频率，栅开启时此驱动管的驱动电流要尽量 的高，lOOMttz的充放电频率要求不低于毫安量级的 单管驱动电流。为了保证液晶点发光的稳定性和精 确度，在栅关闭时源漏之间的漏电要足够的小，使 得栅极为低电压的时候，源漏两极可以有效的关断， 保持源极所驱动的电容上的电压的稳定。在LCOS驱 动电路中，要求单个驱动管源漏之问的泄漏电流应 低于1E—IOA。 图一单象素LCOS驱动电路简 图 器件结构设计： 常规单漂移区LDMOS晶体管只在漏极增加一个漂移区，漂移区为轻掺杂的13型区域，当 漏极施加较高电压时，轻掺杂的漂移区与沟道区域的界面处形成的pn结产生耗尽，随着 漏极电压的增大，耗尽区由pn结界面附近逐渐向重掺杂的漏电极扩展，这样漏极所施加 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 的较高的电压分散在一个延展了的区域中，由于漂移区对漏极高压的分压作用，在漏极旅 加相同的电压水平下，此结构的电场强度比常规不带漂移区的MOS结构相对降低。Si材料 所能承受的最大电场强度是确定的，要使漂移区内电场强度达到雪崩击穿发生时的程度， 漏极可以施加比常规NMOS管耐压更高的电压，因此带有漂移区的漏极能承受较高的电压。 本文中所论述的高压MOS管，由于其栅极同样需要施加较高的电压，为了确保晶体管能 正常工作，栅氧不被击穿，应该按照比例提高栅氧的厚度。Si02的耐压大概在～5MeV／cm， 具体数值还依赖于栅氧生长的致密度和缺陷密度。本文中论述的高压MOS管工作时栅压承 受的电压为30～40V，为了确保栅氧的耐压，以及生长较厚栅氧所面临的较大缺陷密度可 能，我们必须考虑流出足够的余量，来确保栅氧的耐压能力，我们定为1200A。 针对漏栅源三端都要求 高压的情况，我们在源漏两 端均增加漂移区，并且采用 厚栅氧的工艺，实现了这个 要求，晶体管结构如图二所 N—EHANNELFIELDDRIFTDEVICE 示。相对于常规NMOS管，我 们所设计的双漂移区厚栅氧 图二厚栅氧双漂移区LDNMOS结构简图 高压N},IOS管需要额外增加三块掩模版，分别为漂移区注入掩模、厚栅氧刻蚀掩模