LSAW方法探测lowk介质膜硬度特性实验中的信号处理.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 LSAW方法探测low-k介质膜硬度 特性实验中的信号处理 肖夏白茂森 (天津大学电子信息工程学院， 天津300072) 2004 摘要：集成电路金属互连系统的绝缘材料采用low-k介质是近期(按ITRSUpdate， 2009年以前)集成电路互连系统发展的迫切需要。介质中纳米孔的引入有效降低了七值， 却使其硬度特性退化，带来与现行CMP工艺兼容性的挑战。LSAW技术能够快速、准确、无 损伤的表征low-k介质薄膜的硬度特性。本研究实现了LSAW实验中信号的有效处理，设 计出自动、快速、准确的分析出测试样品杨氏模量值的方法。 引言 low-k介质由于其超薄(几百纳米)、易碎(多孔结构)、硬度低等特点，与现行ULSI 双大马士革结构的铜互连工艺的兼容面临着巨大挑战。表征low-k介质膜的硬度特性对其 在ULSI生产中的应用至关重要[1]。LSAW探测技术由于其快速、准确、无损伤等突出优 点，有潜力实现集成电路工艺流程中的在线检测[2，3]。LSAW技术是通过压电探测器探 测超短脉冲激光在介质薄膜表面激发的超声表面波沿薄膜一定的晶向传播一定的距离后 的信号，对其处理得到实验色散曲线，并将它与理论色散曲线拟合，分析出检测样品的杨 氏模量值[2，3，4]。本研究利用计算软件Matlab6．5来处理LSAW实验中采集的信号。包 括：设计滤波器对原始采集信号滤波：快速傅里叶变换获取信号的相频特性：最终计算、 拟合出实验的色散曲线。并设计出理论、实验色散曲线对比分析的方法，自动、快速、准 确的分析出测试样品的杨氏模量值。本研究是LSAW技术研究的一个重要的组成部分。 实验探测信号的处理 图l为超声波在样品表面传播的示意图。在分层结构中传播的超声表面波是色散的， 其波速(v(．厂))与薄膜及基底的结构和机械特性有如下关系： ’，(厂)=1，(E／，p，，町，hi，风，C咖，厂) 其中，E，、P，、仃，和hf分别是薄膜的杨氏模量、密度、泊松常数和厚度，P。和C洳 (f，J=1,2，3，4，5，6)分别为基底材料的密度和弹性刚度常数[2，4，5]。实验中，研究的 样品材料为单晶硅基底上的low-k薄膜介质。沿超声波的传播方向，对同一列超声波，在介 质薄膜表面分别于距离波激发源d。、d2处探测到两列压电转换信号，作为待处理的一对离 散数字信号序列。文验的色散曲线可由公式(2)计算得到。 ‘ v(厂)：型：!垡：二型 (2) ”7 ①：(，)一西。(厂) ．．237．． 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 公式中，dl、d2分别为两探测点到超声表面波激发源的距离，①。(，)、西：(，)为相应 处探测到的信号序列的相频曲线，v(f)为实验的色散曲线[6]。故实验数据处理的目标是 要从探测到的信号序列中获取信号的相频曲线，从而按公式(2)计算出实验的色散曲线。 O．02 0．00 ∞ 口 量一0．02 厶 昌 一 fI