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第 卷 增刊 低 温 物 理 学 报 )N 68( 1)N 年 月 J?0$O/O 7#PB$’Q #R Q#S AO!TOB’APBO T?U/0J/ ， )++- *+ #DE 1 )++- !# 衬底$%$ ’($ $%$ 多层膜的制备! 施建荣 康 琳 蔡卫星 陈亚军 吉争鸣 吴培亨 南京大学超导电子学实验室，南京 )*++,- 本文主要讨论磁控溅射设备制备的$%$ ’($ $%$ 三层结构的技术工艺，为制备 ’((. 的 隧道结作准备 我们在室温下利用直流磁控溅射工艺制备了单晶 $%$ $%$ ’($ $%$ /0/ 1 $%$ 薄膜，并对其超导电性做了初步的研究；又利用射频磁控溅射工艺制备了取向较好的 薄膜 我们利用磁控溅射方法制作 多层薄膜，然后对制备 隧道结进行 ’($ 1 $%$ ’($ $%$ /0/ 了一些探索1 关键词： ， ， ，磁控溅射，射频磁控溅射 $%$ ’($ $%$ ’($ $%$ * 引 言 单晶氮化铌（ ）薄膜有较高的工作温度（一般在 以上）和巨大的能隙（约 $%$ *+2 ) 1 3 ），可以替代高频和高速 器件中传统的 隧道结，可以突破 技术 结 456 7895:;98 $% ’((.$% /0/ 的约=++?@ 能隙频率的限制，应用于A?@ 频率区域中1 ’($ 作为势垒层材料有较大的能隙， 在 时为 ， 具有很好的化学和机械性能，能够抗腐蚀抗氧化 因此制备 -++2 3 1)456 ’($ 1 $%$ 隧道结可用于亚毫米波段超导 接收器和混频器中，其性能和工作条件能够 ’($ $%$ /0/ /0/ ［］ * 得到很大改善 因而越来越受到人们的重视 1 1 很多研究机构曾用了多种方法尝试制备 多层膜 报道中制备 薄膜 $%$ ’($ $%$ 1 $%$ 的方法有反应溅射法（ ），化学蒸汽淀积法（ ）以及热 B5CDEFG5 /:HEE5IF J;54FDC( 6C:8I K5:89FEF8 扩散法（ ）等；而制备 薄膜的方法我们只看到了射频磁控溅射法的报 A;5I4C( KFLLH9F8 ’($ ［］ 道) 1 本文的主要工作是利用直流磁控溅射工艺在单晶!# 基片上制备$%$ ’($ $%$ 多 层薄膜