GBT××××—××××1YSTXXX—XXXX前言本标准按照GBT1.1.doc

前 言 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准由全国有色金属标准化技术委员（SAC/TC 243） 本标准起草单位：宁波江丰电子材料股份有限公司。 本标准参与起草单位：有研亿金新材料股份有限公司。 本标准主要起草电子薄膜用高纯钴溅射靶材 范围 本标准规定了溅射靶材的要求、方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及订货单合同。 本标准适用于用的各类溅射靶材（以下简称靶）。 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 14265 金属材料中氢、氧、氮、碳和硫分析方法通则 GB/T 1804 一般公差未注公差的线性和角度尺寸的公差 GB/T 2828.1 计数抽样检验程序GB/T 6394 金属平均晶粒度测定法GJB 1580A 变形金属超声检验方法 YS/T 837 溅射靶材-背板结合质量超声波检验方法 术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 靶材 target 在溅射沉积技术中的阴极部分。该阴极材料在带正电荷的阳离子撞击下以分子、原子、或离子的形式脱离阴极而在阳极表面沉积。 靶坯 target blank 阴极上用作溅射材料的部分。 背板 backing plate 用来支撑或固定靶材的部分。靶坯与背板可以通过焊接（如钎焊、扩散焊等）、机械复合、粘结等方式连接。 要求 Co含量（wt%）可将高纯钴靶分为4N5 Co（99.995%）5N Co（99.999%）4N5、5N。 按靶材焊接方式可分为钎焊和非钎焊。 化学成分 高纯钴靶的成分及杂质元素要求应符合表1规定。 表1 高纯钴靶化学成分表 Co含量不小于（wt%）99.995 99.999 简称 4N5 5N 非气体杂质含量/wt(10-4)%，不大于 Ag 1 1 Al 1 4.5 As — 5 B 0.1 — Ca 1 2 Cd — 1 Cl 1 1 Cr 1 1 Cu 5 1 Fe 10 6 K 0.5 0.1 Li — 0.1 Mg 0.1 2 Mn 1 1 Mo — 1 Na 0.5 0.2 Ni 40 6 Pb — 1 Sb — 1 Si 1 4.5 Sn 1 — Th 0.1 — Ti — 2 U 0.1 — V 2 — W — 1 Zn 0.1 5 Zr — 1 气体杂质含量/wt(10-4)%，不大于 C 30 75 H 10 — N 30 20 O 100 155 S 10 10 杂质总含量/wt%，不大于（不包含C、H、N、O、S） 0.005 0.001 注：客户对元素有要求的，Co含量为100%减去表中杂质实测总和的余量（不含C、H、N、O、S）。 晶粒尺寸 高纯钴靶的晶粒尺寸应符合表2规定，并且晶粒分布均匀。需方如有特殊要求时，由供需双方商定，并在订货单（或合同）中注明。 表2 高纯钴靶晶粒要求 微观晶粒要求 纯度 平均值/um 4N5 ≤100 5N 未完全结晶 透磁率 高纯钴靶的透磁率应符合表3规定，并且分布均匀。需方如有特殊要求时，由供需双方商定，并在订货单（或合同）中注明。 表3 高纯钴靶透磁率要求 透磁率要求 纯度 范围（%） 4N5 ≤70 5N 30-60 外观质量 高纯钴靶表面应清洁光滑，无指痕，无油污和锈蚀应无拉伸润滑痕迹，颗粒附加物和其它沾污应无凹坑、划伤、裂纹、凸起等缺陷内部质量 内部不应有分层、疏松、夹杂和气孔等缺陷质量由供方生产工艺保证。GJB 1580A标准执行。 焊接质量 焊接质量应符合表4的规定，需方如有特殊要求时，由供需双方商定。 表4 高纯钴靶焊接质量要求 焊接方式 焊接结合率 单个未焊合间隙面积/总面积 钎焊 ≥95% ≤2% 非钎焊 ≥98% ≤1% 几何尺寸GB/T 1804要求。 试验方法成分 通过辉光质谱仪（GDMS）分析技术，对原材料中微量成分及杂质成分进行分析 气体元素C、H、N、O、S的分析方法按照GB/T 14265标准执行。 晶粒尺寸检验 晶粒尺寸检验按照GB/T 6394规定进行观察、评定和确认。 ASTM F2086–01进行。 内部质量检验 按GJB 1580A变形金属超声检验方法进行。 焊合质量检验 焊合质量按YS/T 837标准进行。 几何尺寸检验 几何尺寸通过三维坐标测定仪（CMM），按照加工图纸标识尺寸进行测定GB/T 1804要求。 外观质量用数码显微镜。