串级温控系统在液相外延炉中的应用.pdf

2005年12月 第十三届全目电子柬·离子束·光子束学术年套 湖南·长沙 串级温控系统在液相外延炉中的应用 罗卫国罗亮 (中国电子科技集团公司第四十八研究所，长沙410111) 摘要：半导体工艺中的扩散、氧化、外延等工艺对温度的要求均十分严格，特别是液相外延，不仅 要求控温精度高、单点稳定性好，而且在工艺过程中还要求恒温区能够随工艺过程实现平移．并且要 求温度过冲小、稳定快。内、外热偶串级温度控制技术由于采用的是以工艺片附近真实工艺温度为控 制对象，配以全工艺温度段的P1D参数优化组合、跟踪调节运用，从而克服了常规温控方式在温度变 化时反应滞后、温度波动大的缺点，以其精确控制和快响应速度较好地实现了热场的高精度、高稳定 性。 关键词：串级控制；温控仪；PID调节；液相外延 1 引售 ’ 液相外延炉是制造高性能半导体激光、发光器件的重要设备。目前，使用极为广泛的高亮度红色 砷铝镓，高亮度红色和绿色磷化镓，高辐射度砷铝镓等发光二极管，短波长镓铝砷激光器．长波长磷砷 镓铟发光器件等都是用这种方法制造的。 由于外延炉的机械结构、电气控制较复杂且对精度都有很高的要求，因此，长期以来，该设备一直 依赖进口。国家863计划”推出了一系列赶超世界先进水平的高科技开发项目，我所于1999年研制成 功的液相外延炉即是这些项目之一。 2 高精度温控方式的实现 2．1外延生长与温度的关系 液相外延是指在一块单晶衬底的生长界面上，浸入饱和溶质的溶液中淀积生长外延层。如绿色发 约251xm的掺N、Zn的P型GaP层。 生长方式通常为降温生长fl】。工艺过程中，温度、气体流量、真空度、降温速率等对外延层的生长厚 度及品质均有很大影响，其中对温度的稳定性及其变化速率的要求更是严格。 实验证明：外延层的厚度d与炉温冷却速度a、冷却时间t之问的关系为： d=baPn+c a：C／rain，t：rain， (d：¨，m， b、c为常数) 生长速度Q与温度之间则有如下关系： Q=(D／oGaP)(dC．／d79(d吖dx) 从以上关系可以看出，在其他条件一定的情况下，控制好温度。是外延生长工艺的关键所在。 2005年12月 第十三届全国电子束·离子束·光子束学术年会 湖南·长沙 2．2液相外延系统的特点 与扩散炉比较，液相外延炉有如下特点： ①由三台步进电机控制的复杂的悬臂送舟系统。庞大的碳化硅桨，碳化硅杆及溶液槽具有很强 的蓄热功能，至使炉膛中温度惯性很大。 ②石英管外连有很长的水冷套及金属波纹管，炉尾接有真空泵。因此，炉子的两端散热快、功耗 大。 ③ 内，恒温区应始终存在并可随温度的上升或下降作平移。同时在温度升降过程中到达各平台时还要求 要过冲小(3℃)，恢复时间要尽可能短(3rain)。 ④升、降温速率及各平台温度稳定的快慢对器件性能有直接的影响，所以，外延炉的温控系统 虽然是大滞后系统，却又希望系统要有较快的响应速度。 ⑤工艺过程中的不同阶段及不同温度下。要通人H2、N：等辅助气体，并要利用机械臂移动衬底 片到不同的溶液槽内(这其间，碳化硅杆及石英舟要作上下、左右移动和抖动)，还要启动真空泵减压 (用减压法可除去部分杂质，提高光输出30—50％)。 由以上特点可以看出，尽管外延炉的恒温区精度及单点温度稳定性与扩散炉差不多．但在整个工 艺过程中，恒温区受到的扰动很大，影响温度稳定的因素很多，其结构的特殊性以及对升降温过程的 苛刻要求也给精确控温带来了难度。 2．3控温方案的选择 2．3．1控温方式 炉腔中温度的稳定要靠调节炉管外炉丝的加热功率来控制。就扩散炉的控温方式而言，炉腔中温 度的变化要被置于炉壁上的热电偶感应到需一段较长的时间。因此．相对于炉膛中温度的变化．温度 调节系统的动作会有较大的滞后性”】。显然，象液相外延炉这种对温度的稳定性、稳定速度、调节范围 等要求都比扩散炉高而恒温区又频繁受到扰动的系统．若也采用这种热电偶远离被控点的方式来控 温，必然会使被控温度的稳定时间拖得很长。满足不了指标的要求。要想迅速检测到被控温度的变化 并