以Al2O3AIN为衬底不同沉积方法制备的ZnO薄膜特性研究.pdfVIP

770 第五届博士生学术年会论文集 以A1203／AIN为衬底不同沉积方法制备的 ZnO薄膜特性研究① 袁广才 徐 征②赵谡玲 张福俊 黄金昭 宋丹丹 朱海娜 北京交通大学光电子技术研究所，发光与光信息技术教育部重点实验室，北京市，100044 摘 要 采用反应磁控溅射和电子束蒸发的方法在复合衬底A120。／AlN上生长ZnO薄 膜，通过X-ray衍射(XRD)及透射光谱分析薄膜的成膜情况及在可见光范围内的透光性，通过 其半高全宽计算出ZnO晶粒的大小，并得出采用磁控溅射方法沉积制备的ZnO薄膜，在薄膜 的结晶化、表面形貌、薄膜的致密程度以及薄膜透过率等方面均比采用电子柬蒸发的方法制备 薄膜优异。通过不同的快速热退火温度验证退火对薄膜影响，发现在400℃时，溅射制备得的 ZnO薄膜的结晶化及在(002)方向上的择优取向达到最好，并在可见光范围内的平均透过率 达到88％以上，而采用电子束蒸发制得ZnO薄膜成膜性较差，其在可见光范围内最大透过率 仅在72％。 关键词 ZnO薄膜结晶化透射率透明薄膜晶体管 一、引言 ZnO是一种Ⅱ～Ⅵ族，具有较大的禁带宽度(室温下为3．4eV)的半导体材料，其电子亲和势为 3．OeV、激子结合能为60eV且导电性好，可以用作透明导电薄膜，由于其载流子浓度大、霍尔迁移率高、 载流子迁移率高及在可见光区域透明等特性，使其在薄膜场效应管上有很大的应用潜力，透明薄膜晶体 管(TTFT)是有源显示驱动的关键器件，其主要的技术关键是有源层的载流子浓度、载流子迁移率、透 研究很受关注。 制备ZnO薄膜的方法有很多，如磁控溅射、分子束外延(MBE)、电子束热蒸发、脉冲激光沉积 (PI。D)等，几乎所有的制膜方法都可用来制备ZnO薄膜。ZnO薄膜的性质和结晶状况随制备条件的 不同而有很大不同，而薄膜的结晶状况和抗击穿的能力直接影响到其是否有足够的能量来克服表面 亲和势，以便于电子的传输特性。以往对导电ZnO薄膜的研究主要集中在电导率、光学性质及发光 性质上，对绝缘ZnO薄膜是集中在表面和固体声学波器件上，而对于其在透明薄膜场效应管 (TTFT)中作为有源层的还比较少。在本文中，本文主要研究采用反应磁控溅射和电子束蒸发的方 法来制备以(002)方向择优取向、非掺杂Zn0薄膜，并就薄膜的成膜性及其光学特性进行对比研究， 详细讨论了衬底温度与溅射气压、溅射功率对成膜速率、结晶状况以及不同的退火温度对ZnO薄膜 透过率的影响。 ②通讯作者：徐征，电话：010E—mail：zhengxu@bjtu．edu．cn或者ygc219@126．corn。 光电信息技术与光电产业 771 二、实验 采用反应磁控溅射和电子束热蒸发两种不同方法，在复合的Alz0。／AIN薄膜衬底上沉积生长ZnO 薄膜。其制备仪器及材料为，法国的Line420型的反应磁控溅射仪和EVA450电子束蒸发镀膜机。溅 射用的Zn靶(99．99％)，反应气体为O：(99．99％)、N2(99．99oA)，溅射气体为Ar(99．99％)；电子束蒸 发用的ZnO材料分析纯为99．99％。采用Rigaku 谱仪对样品进行分析，采用RTP一500快速热退火仪对样品进行退火处理。 本文选用带有ITO(氧化铟锡)的玻璃为衬底，在酒精中超声清洗15～25min，再经丙酮处理后用洗 涤液清洗干净，最后用去离子水超声清洗5～10min，用氮气吹干，放入真空室。在溅射的过程中，本底 参数。薄膜的沉积结构为：glass／ITO／A1203／AIN／Zno。 衰1实验溅射参数 三、结果与讨论 实验中制得两个样品，样品S1、S2经溅射先沉积生成Al。0。和AlN薄膜，经冷却降温后将S2样品 取出，S1样品继续溅射沉积Zn0薄膜；82样品转移到电子束蒸发镀膜机上蒸镀Zn0薄膜。 样品制好后，首先我们对样品S1进行X-ray衍射分析，其采用20／0耦合连续扫描，步宽：0。02度， kV150mA DS：1RS；3 Cu靶40 SS：1，采用UV一3101pc型透射光谱仪对其透射光谱进行的分析。 图