模拟电子技术第五版第一章试题.ppt

模拟电子技术基础 海南大学 张育课程考核方式： 平时考核占课程总成绩30％，期末命题考试占课程总成绩70％ 平 时 考 核： 考勤（5分），作业（10分），期中考试（15分） 参考书： 《模拟电子技术基础解题指南 》，唐竞新，清华 《线性电子线路》戴蓓蒨，科大 模拟信号与模拟电路 2. 模拟电路 ? 模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。 ? 最基本的处理是对信号的放大，有功能和性能各异的放 大电路。其它模拟电路多以放大电路为基础。 电子信息系统的组成 模拟电路的基本功能 放大电路：电压/电流、功率 滤波电路：低通、高通、带通、陷波 运算电路：加减乘除、积分微分、选通 信号转换电路：直流-交流、电压/电流-频率/占空比、频率-占空比 信号发生电路：正弦波、矩形波、三角波、锯齿波 直流电源：DC-DC、AC-DC 电路设计的四个原则 可靠性 可测性 电磁兼容性 低功耗 课程目的 第1章 常用半导体器件 PN结 二极管 三极管 场效应管 本征半导体 导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。 绝缘体－－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。 半导体－－硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。 本征半导体的结构 掺杂半导体 几个常用公式 PN结的形成 PN结的单向导电性 PN结的电容效应 二极管的伏安特性 二极管伏安特性曲线反映的特征 二极管的等效电路 二极管微变等效电路 图解二极管模型 二极管应用举例一 二极管应用举例一 稳压管 稳压管稳压原理 §1.3 晶体三极管 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 六、光电三极管 七、晶阀管 一、晶体管的结构和符号 NPN型晶体管 PNP型晶体管 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 讨论 为什么UCE 增大曲线右移？ 为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？ 为什么uCE 较小时iC 随uCE 变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？ 二极管应用举例一 二极管应用举例一 转移特性 O uGS/V ID/mA IDSS UP 图 1.4.6　转移特性 结型场效应管转移特性曲线的近似公式： ≤ ≤ ＊　结型P 沟道的特性曲线 S G D 转移特性曲线 iD UGS（Off） IDSS O uGS 输出特性曲线 iD UGS= 0V + uDS + + o 栅源加正偏电压，(PN结反偏)漏源加反偏电压。 1.4.2　绝缘栅型场效应管 MOSFET Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管，或简称 MOS 场效应管。 特点：输入电阻可达 1010 ? 以上。 类型 N 沟道 P 沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 UGS = 0 时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管； UGS = 0 时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。 一、N 沟道增强型 MOS 场效应管 结构 P 型衬底 N+ N+ B G S D SiO2 源极 S 漏极 D 衬底引线 B 栅极 G 图 1.4.7　N 沟道增强型MOS 场效应管的结构示意图 S G D B 1. 工作原理 绝缘栅场效应管利用 UGS 来控制“感应电荷”的多少，改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，以控制漏极电流 ID。 2.工作原理分析 (1)UGS = 0 漏源之间相当于两个背靠背的 PN 结，无论漏源之间加何种极性电压，总是不导电。 S B D (2) UDS = 0，0 UGS UGS(th) P 型衬底 N+ N+ B G S D 栅极金属层将聚集正电荷，它们排斥P型衬底靠近 SiO2 一侧的空穴，形成由负离子组成的耗尽层。增大 UGS 耗尽层变宽。 VGG - - - - - - - - - (3) UDS = 0，UGS ≥ UGS(th) 　由于吸引了足够多P型衬底的电子， 会在耗尽层和 SiO2 之间形成可移动的表面电荷层 —— - - - N 型沟道 反型层、N 型导电沟道。 　　　　　　　　　　　　　UGS 升高，N 沟道变宽。因为 UDS = 0 ，所以 ID = 0。 UGS(th) 或UT为开始形成反型层所需的 U