模电-第1章半导体13答案.ppt

* * G S D UDS UGS UGS=0 UDS UGS(off)时 P P UDS增大则被夹断区向下延伸。 ID 此时，电流ID由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。 G S D UDS UGS P P ID UGS0 、UDS0时 预夹断所需UDS减小，ID减小，夹断点随UGS变化 由以上分析知，改变UGS可控制漏极电流ID， UGS改变引起PN结中的电场改变，再控制ID ，故称场效应管。 输出特性曲线 三、特性曲线 转移特性曲线 uGS 0 iD IDSS UGS(off) 结型场效应管的缺点： 1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。 1.4.2 绝缘栅场效应管 一、结构和电路符号 P N N G S D P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 导电沟道 金属铝 G S D N沟道增强型 N 沟道耗尽型 P N N G S D 预埋了导电沟道 G S D N P P G S D G S D P 沟道增强型 P 沟道耗尽型 N P P G S D G S D 预埋了导电沟道 二、MOS管的工作原理 以N 沟道增强型为例 P N N G S D UDS UGS UGS=0时 D-S 间相当于两个反接的PN结 ID=0 对应截止区 P N N G S D UDS UGS UGS0时 UGS足够大时（UGSUGS(th)）感应出足够多电子，这里出现以电子导电为主的N型导电沟道。 感应出电子 UGS(th)称为开启电压 UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。 P N N G S D UDS UGS P N N G S D UDS UGS 当UDS不太大时，导电沟道在两个N区间是均匀的。 当UDS较大时，靠近D区的导电沟道变窄。 P N N G S D UDS UGS 夹断后，即使UDS 继续增加，ID仍呈恒流特性。 ID UDS增加，UGD=UGS(th)时，靠近D端的沟道被夹断，称为预夹断。 三、增强型N沟道MOS管的特性曲线 转移特性曲线 0 iD uGS UGS(th) 输出特性曲线 uGS0 四、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 转移特性曲线 0 iD uGS UGS(off) 输出特性曲线 根据曲线来判断管子的结构、沟道类型，求相关参数 结构 沟道 相关参数 1.4.3 场效应管的主要参数 一、直流参数 1. 漏极饱和电流IDSS：是结型和耗尽型场效应管的重要参数之一。指在uGS＝0的条件下，管子发生预夹断时的漏极电流。 2. 夹断电压UGS(off) (VP)：是结型和耗尽型场效应管的重要参数之一。指在uDS 为某一固定数值条件下，使iD等于某一微小电流(便于测量)时所对应的uGS。 3. 开启电压UGS(th) (VT)：是增强型场效应管的重要参数之一。指在uDS为某一固定数值条件下能产生iD所需要的最小∣uGS∣值 4. 直流输入电阻RGS: 通常结型场效应管RGS大于107Ω,绝缘栅型RGS大于109Ω。 二、交流参数 1．低频跨导gm：是表征工作点Q上栅源电压对漏极电流控制作用大小的一个参数，定义为: 2．交流输出电阻rds：rds定义为 gm实际上就是转移特性曲线在直流工作 点Q处切线的斜率，单位为S(西门子) gm大小与直流工作点Q有关 rds为输出特性在直流工作点Q处切线斜率 的倒数，在饱和区，rds一般为几百kΩ 三、极限参数 1．最大漏极电流IDM:管子在工作时允许的最大漏极电流 2．最大耗散功率PDM: PDM =uDS·iD，受管子的最高工作温度和散热条件限制 3．栅源击穿电压U(BR)GS：对结型管指栅极与沟道间PN结的反向击穿电压；对绝缘栅型，指使绝缘层击穿的电压 4．漏源击穿电压U(BR)DS：漏极附近PN结发生雪崩击穿时的UDS 1.4.5 场效应管与晶体三极管的比较 二、作为放大器件时，结型场效应管的输入电阻大于107Ω，MOS场效应管的输入电阻大于l09Ω 一、场效应管是电压控制器件，而晶体管是电流控制器件 三、场效应管利用一种多子导电，故又称为单极型三极管，其温度稳定性好。 四、MOS场效应管制造工艺简单，便于集成，适合制造大规模集成电路。 ? 比较项目 三极管 场效应管 结构 NPN型 PNP型 C极与E极一般不可交换使用 结型耗尽型 N沟道 P沟道 绝缘栅增强型 N沟道 P 沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P 沟道 D极