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化学气相沉积制备MgB2超导薄膜.pdf
第 卷 增刊 低 温 物 理 学 报
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年 月 GJNOEPE Q)RSO38 )T 8)U 0E!7ES30RSE 7JVPNGP ，
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化学气相沉积制备!#$ 超导薄膜
王淑芳 周岳亮 朱亚斌 刘 震
张 芹 陈正豪 吕惠宾 杨国桢
光物理开放实验室，中国科学院物理研究所，北京 %’
本文报道了利用化学气相沉积技术制备 超导薄膜 首先在 （ ）基片上化学
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气相沉积一层 膜，然后在 蒸气环境下对 膜进行后退火处理 退火后得到的 薄
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膜在 （ ）基片上呈随即取向生长， 、原子比接近于 ；薄膜表面光滑致密，晶粒
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粒度约为 电阻测量和直流磁测量表明薄膜超导转变温度为 ，转变宽度仅为
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毕恩公式计算结果显示 薄膜的临界电流密度在 、 时高达 2 $
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% 引 言
新型超导体!#$ 以其较高的超导转变温度和临界电流密度，较大的相干长度，简单的
［ ］
晶体结构，低廉的原材料价格及优异的电磁性能，迅速成为超导领域的研究热点% 6 . ( 为了
制备出均匀致密、表面平整光滑、超导性能优异的!#$ 超导薄膜，研究人员几乎动用了所有
［ ］ ［］
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可能的制膜方法，主要有脉冲激光沉积法（ ） 、磁控溅射法（ ） 、分
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