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半导体纳米材料光学吸收谱的温度效应.pdf
第35卷，增刊 红外与激光工程 2006年lO月
V01．35 InfraredandLaser oct．2006
Supplement Engineering
半导体纳米材料光学吸收谱的温度效应
王新霞，庞绍芳
(西安科技大学基础部，西安710054)
摘要：观测了半导体纳米薄膜材料，在室温下的紫外一可见吸收光谱及随测量温度变化至液氦温区的光谱
变化，考察光吸收边随温度降低发生蓝移的情况，进而分析温度效应对晶格参数及电子一声子相互作用的影响，
造成其能带漂移。 ·
关键词：光学吸收谱； 吸收边； 温度效应； 能带漂移
中图分类号：0472 文献标识码：A 文章编号：1007．2276(2006)增B．0156．03
几 - · · - ’ J● ● ■ J●
Semiconductornanometermaterialsa
0ptlCaIbS0rDtlon
spectra affection
temperature
WANG
Xin—xia，PANG
Shao·fang
(Basic ofScienceand 710054．China)
Department,Xi’缸UniversityTechnology,Xi’all
Abstract：Semiconductornanometerfilmsis is under
observed，ultraviolet—visual
absorptionspectraperformed
different fromroom to effecthasinfluenceonthelattice
temperature temperatureliqueHe．Temperature parameter
and induces blueshiftwith
interaction，which
electron—phonon absorptionedge temperaturedecreasing．
bandshift
Key absorption edge；Temperatureaffection；Energy
words：OpficMspectra；Absorption
0引言
光学吸收谱是研究半导体能带结构及其他相关性质最基本的方法之一，实验所涉及的波段广，可以和半
导体几乎所有的基本激发过程相互作用，如与带间跃迁对应的基本吸收区，与光学声子有关的剩余射线吸收
区域，与自由载流子集体激发等的离子体吸收区域。半导体吸收光谱的最突出的一个特征是光吸收边的存在，
外界干扰条件可以影响半导体的能带结构从而影响半导体的基本吸收和吸收边、温度、压力、
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