第3章零维半导体体系解说.ppt

第三章 零维半导体体系 ? 第一节??????当今微电子学面临的挑战? 2 (一) Dennard ( 按比例缩小 ) 原理 ( Moores rule ) 1979 年美国 IBM 公司 R. Dennard 提出, 如果集成电路的器件尺寸、电源电压和硅衬底电阻率按 P 比例缩小, 则集成电路的器件密度和传输速度将按 P2 比例增加, 功耗按 P2 比例缩小 (二) 超大规模硅集成电路 ( VLSI ) 技术的发展轨迹 参 数 1995 1997 1999 2001 2003 2006 2009 2012 DRAM ( bit/chip ) 64M 256M 1G 4G 16G 64G 256G DRAMchip size (mm2) 190 280 400 445 560 790 1120 1580 Gate Lithography (?m) 0.28 0.20 0.14 0.12 0.10 0.07 0.05 0.035 Supply voltage (V) 3.30 2.35 1.65 1.35 1.35 1.05 0.75 0.55 Clock (MHz) 300 750 1200 1400 1600 2000 2500 3000 ? 每三年 DRAM 的密度增长 4 倍 3 ? 每三年 MOSFET 的删长缩小 0.7 倍 ? 按此速度发展, 十年后器件尺寸达 0.03 ?m, 即 30 nm (三) 作为信息科学基础的微电子学目前正面临着转折性的变化, 该变化有如下两个特征性的标志。 ? 一是元件尺寸逐步减小, 已达到纳米量级这个临界值。在此尺 寸下, 量子效应如量子限制效应、库仑阻塞效应、量子隧道效 应和量子干涉效应等都突出地表现出来, 器件工作原理将改变。 并且器件制备工艺必须改变, 例如, 传统的光刻技术已无法使 用, 要采用自组装技术。 ? 另一是随着信息传输速度和传输密度的不断提高, 电子集成逐 步地向光电子集成过渡。因此分子光、电子学便应运而生, 且 发展异常迅速. ( 下面将进一步讨论 ) * (四) 纳米电子学和分子电子学 4 ? 微米和亚微米器件 → 纳米器件 ( 如 单电子晶体管 ) ( 电子束 ) 纳米微刻技术 ? 晶体、多晶和非晶器件 → 分子器件 ( 如 C60 晶体管 ) (五) 光电子学 ( 微电子学 → 光电子学 ) 一, 光作为信息载体的优越性 [ 思考题: 有何优越性? ] (1) 速度快 (2) 信息密度高 [ 思考题: 为什么 ? ] 1, 载波 ( fo ) 和调制: 用户( 电话或电台 ) 所占频道的频宽 Δf ; ? 音频频宽: 20 ～ 20000 Hz ( 2 ? 101 ～ 2 ? 104 Hz ); ? 用户占用频宽Δf : fo – 20000 Hz ～ fo + 20000 Hz 取Δf 为 100000 Hz ( 1 ? 105 Hz ), 不串台, 不干扰; * 2, 信息载体的频率愈高, 信息容量愈大 5 ? 电磁波波谱: 频谱 ( 见下页 ) ? 不同信息载体的容量 中波: 500～1500 KHz, 频宽 1000 KHz =106 , 用户数 = 106 /105 = 101 短波: 50～150MHz, 频宽 100 MHz = 108 , 用户数 = 10