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法拉第效应和表面磁光克尔效应实验
法拉第效应
EL
ER
法拉第旋转角计算
磁场B下,电子磁矩的势能V
吸收光量子角动量后
由于
三种磁光克尔效应
极向:
纵向:
横向:
磁光效应:同法拉第效应
克尔椭偏率:介质对左旋圆偏振光和右旋
圆偏振光的吸收的不同
表面磁光克尔效应原理
表面磁光克尔效应计算
克尔旋角的大小可以通过比较有无磁场时光强变化来体现:
克尔椭偏率:在检偏器前加上1/4玻片即可测得:
实验装置
法拉第效应
表面磁光克尔效应
光路系统:光源、起
检偏镜
励磁系统:电源、电
磁铁
探测系统:光电探测
器
数据采集系统:接受
电压信号
标定磁场
法拉第效应
调整光路—记录不同磁场下的偏转角—测量
三块样品—计算菲尔德常数
表面磁光克尔效应
调整光路—测量样品的磁滞回线—计算纵向
克尔转角
加入1/4玻片—测量磁滞回线—克尔椭偏率
实验方法及内容
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