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汇报目录 分子束外延技术基本知识 具体实例 文献阅读 总结与展望 分子束外延基本知识 在超高真空环境下，使具有一定热能的一种或多种分子（原子）束流喷射到衬底，在衬底表面进行外延生长的过程。 始创：20世纪70年代初期，美国Bell实验室 应用：外延生长原子级精确控制的超薄多层二维结构材料和器件（超晶格、高电子迁移率晶体管等）；结合其他工艺，还可制备一维和零维的纳米材料（量子线、量子点等）。 分子束外延原理 分子束外延原理示意图 在超高真空系统中，将组成化合物中的各个元素和掺杂元素分别放入不同的源炉内。加热源炉使它们的分子（原子）以一定的热运动速度和一定的束流强度比例喷射到衬底表面上，与表面相互作用，进行单晶薄膜的外延生长。各源炉前的挡板用来改变外延层的组份和掺杂。根据设定的程序开关挡板、改变炉温和控制生长时间，就可以生长出不同厚度、不同组份、不同掺杂浓度的外延材料。 3 分子束外延原理 外延表面反应过程图 外延薄膜的生长模式图 MBE的优缺点 （1）从源炉喷出的分子（原子）以“分子束”流形式直线到达衬底表面，可严格控制生长速率。 （2）分子束外延的生长速率较慢，可实现单原子（分子）层外延，具有极好的膜厚可控性。 （3）通过调节束源和衬底之间的挡板的开闭，可严格控制膜的成分和杂质浓度，也可实现选择性外延生长。 （4）材料层生长速率太慢，不适合大批量生产加工。 （5）系统需要的真空和工艺过程要求十分严格，使得整个系统硬件较复杂且费用昂贵。 分子束外延设备 分子束外延设备照片a和示意图b 芬兰DCA公司 P600型MBE系统 分子束外延实时监测——RHEED RHEED （reflection high-energy electron diffraction）：反射高能电子衍射仪，它是MBE) 技术中进行原位监测的一个重要手段。从电子枪发射出来的具有一定能量(通常为10 - 30kev) 的电子束以1 - 2°的掠射角射到样品表面,那么,电子垂直于样品表面的动量分量很小,又受到库仑场的散射,所以电子束的透入深度仅1 - 2 个原子层, 因此RHEED 所反映的完全是样品表面的结构信息，研究晶体生长、吸附、表面缺陷等方面 特征衍射图 衬底制备及其低温去除氧化层技术 去氧化层过程RHEED图样变化图 生长温度对分子束外延材料的影响 A 780℃ B 850℃ C 950℃ AlN AFM 表征 束流比对分子束外延材料晶体的影响 不同束流比下的生长速率 GaSb为衬底生长GaSb薄膜 生长速率对薄膜表面形貌及生长模式的影响 不同生长速率制备的InGaAsN薄膜表面形貌（a）0.1 μm/h （b）0.5 μm/h （c）1.2 μm/h 文献学习 Structural properties of AlGaP films on GaP grown by gas-source molecular beam epitaxy 研究用分子束外延技术在CaP为基底上生成AlGaP薄膜的结构性质 生长温度和PH3流量大小对AlGaP薄膜结构的影响 主要内容 实验设计 PH3为磷源 2PH3 ==== 2P + 3H2 80 nm 1.0μm 0.2μm 300μm 1.9 sccm Scheme of structures.Al content for all samples was set to be 85%.GaP buffer and cap layer were grown under 1.9 sccm PH3 while to grow AlGaP layer different fluxes of 2.3and2.7 were used.Same growth temperature was applied during the growth of GaP and AlGaP 模板的使用 RHEED分析 RHEED pattern images:(a)sharp lines of the 2X4 reconstruction of GaP surface after oxide desorption at 580 ℃, (b) GaP buffer layer of S1,(c) and (f) first MLs growth of AlGaP layer of S1 and S3,(d) and (g) after the growth of AlGaPlayer ,(e) and (h) GaP caplayer of S1 and S3.It is notable that RHEED pattern of GaP buffer of S3 was as sharp and str