基于自适应体偏压技术的低功耗研究.pdfVIP

1090 计算机技术与应J1j进展·2009 基于自适应体偏压技术的低功耗研究术 黄新林窦建华 合肥工业大学计算机与信息学院，安徽合肥230009 摘要：过去运用正向体偏压技术设计的低功耗电路存在一个缺陷，即晶体管截止后的漏电流随着 阈值电压的减小而迅速增大，增加了电路的静态功耗。本文采用了自适应体偏压技术弥补了这个缺陷， 改进了低压低功耗电路的设计技术。同时介绍了用这种技术设计的低压施密特触发器，工作电压为 1．4V，延迟宽度为0．6V，功耗仅为7．3540uW。 关键词：自适应体偏压技术动态阈值MOSFET施密特触发器 1引 言 随着笔记本电脑、移动通信和可植入医疗产品等便携式设备的市场需求持续增加，低压低功耗设计已 成为CMOS集成电路设计发展的一个重要方向。CMOS电路功耗主要来自动态功耗和静态功耗，其中动态功 (i。ubth聆。h。ld)¨J。一般情况下，与动态功耗相比静态功耗可以忽略不计，动态功耗基本决定了电路的总功耗， 但是随着尺寸的不断降低，管子很容易产生较高的漏电流，静态功耗将成指数倍增加，因此在低功耗设计 中不可忽略静态功耗。 传统体偏压技术可以减小管子的阈值电压，这种方法丰要是通过降低电路的电源电压来降低动态功耗。 但考虑电路的静态功耗时，这种方法就存在二个缺陷，晶体管截止后的衬底和源极之间仍然存在固定的正 向电压，漏电流随着阈值电压的减小而迅速增大。本文采用动态改变品体管阈值电压的自适应体偏压技术 弥补这个缺陷，并用该技术设计了低功耗的施密特触发器，用Hspice进行了仿真验证。 2体偏压技术 2．1传统的体偏压技术 D 传统的体偏压技术的NMOS管模型如图l，其信号加在栅极上， 在衬底端和源端之问加固定电压。如果MOS管的衬底和源极均接地 B G 即VBS为0，其阈值电压记为VTO(对NMOS和PMOS分别记为vTN0 和VTP0)；如果衬底对源极的的电压不为0，则会对闽值电压有轻微 的影响，例如在NMOS中，vBS为正电压，相当于界囱．和衬底之间 S 加了一个正向电压，这使耗尽层变薄，同时也使源、漏区与衬底的 图l传统的体偏压技术NMOS管模型 PN结的空间电荷区均变窄。这种条件下较低的正电压就能吸引源、 ’作者简介：黄新林(1983．)，男，山东青岛人，合肥工业大学硕士生；窦建华(1954．)，女，山东青岛人，合肥工业大学副教授，硕 ‘ 士生师． 分别记为VTN和vTP)。阈值电压与衬源之间的电压关系如下13】： 所=玢。+八圻聂再石i一√『习) (1) ‰蜥(‰刚)：脯mF+鱼孽 其中丫为阈值系数，瞬为强反型层表面势垒V甩平带电压，c甜单位面积栅氧化物电容，鼬硅的介电数， 阈值电压是耗尽层电荷总数的函数，改变耗尽层电荷的分布必 然会引起阈值变化。表l为阈值电压VrT随VBs变化的减小量f41。 表1VT随VBS变化的减小量 ． VBs(V) NMOS(mV)PMoS(mV) 0 O O O．2 44 58 O．4 80 105 图2NMoS管的大信号模型 0．6 107 145 传统体偏压技术降低了管子导通对于电源电压的要求，能够降低管子工作时的动态功耗。但是管子截 止时，正向偏压完全作用在源、漏