典型特性曲线.doc

1A、00V N沟道增强型场效应管 SVD1N70B/M/T N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用S-RinTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，，PMW马达(@VGS=10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了dv/dt 能力 订货说明 产 品 名 称 封装形式 打印名称 包装形式 SVD1N70M TO-251-3L SVD1N70M 料管 SVD1N70T TO-220-3L SVD1N70T 料管 SVD1N70B TO-92-3L 1N70B 袋装 SVD1N70BTR TO-92-3L 1N70B 编带 极限参数(除非特殊说明，TC=25(C) 参 数 名 称 符 号 单位 SVD1N70SVD1N70M SVD1N70T 漏源电压 VDS V 栅源电压 ±30 V 漏极电流 ID A 耗散功率（TC=25(C） - 大于25(C每摄氏度减少 PD W 0.025 0.22 0.31 W/(C 单脉冲雪崩能量（注 1） 工作结温 TJ -55+150 (C 贮存温度 Tstg -55+150 (C 热阻特性 参 数 名 称 符 号 单位 SVD1N70B SVD1N70M SVD1N70T 芯片对管壳热阻 RθJC 0.5 4.0 2.71 (C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 120 110 62.5 (C/W 电性参数(除非特殊说明，TC=25(C) 参 数 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V ID=250μA 700 -- -- V 漏源漏电流IDSS VDS=700V，VGS=0V -- -- 10 μA 栅源漏电流 IGSS VGS=±30V，VDS=0 -- -- ±100 nA 栅极开启电压 VVGS= VDS，ID=250μA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻RDS(on) VGS=10V，ID=0.5A -- 11.3 14.5 ( 输入电容 Ciss VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHz -- 150 200 pF 输出电容 Coss -- 17 26 反向传输电容 Crss -- 2.2 4.0 开启延迟时间 td(on) VDD=350V，ID=0.8A, RG=25( (Note 2,3) -- 8 40 ns 开启上升时间 tr -- 9 60 关断延迟时间 td(off) -- 36 50 关断下降时间 tf -- 11 70 栅极电荷量 Qg VDS=560V，ID=0.8A, VGS=10V (Note 2,3) -- 5.6 6.0 nC 栅极-源极电荷量 Qgs -- 1 -- 栅极-漏极电荷量 Qgd -- 2.5 -- 源-漏二极管特性参数 参 数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源 -- -- 1.2 A 源极脉冲电流 ISM -- -- 4.8 源-漏二极管压降 VSD IS=1.0A,VGS=0V -- -- 1.5 V 反向恢复时间 Trr IS=1.0A,VGS=0V, dIF/dt=100A/μs（注2） -- 160 -- ns 反向恢复电荷 Qrr -- 0.3 -- μC 注： L=10mH，IAS=1.2A，VDD=5V，开始温度 TJ=25(C；脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 典型特性曲线 典型特性曲线(续) 典型测试电路 封装外形图 TO-220-3L UNIT: mm TO-251-3L UNIT: mm 封装外形图（续） TO-92-3L 单位: mm TO-92-3L 单位: mm 声明： 士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！ 任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用Silan产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品 SVD1N70B/M/T 版本号： 共页 第1页