多形貌四针状氧化锌纳米材料的制备与表征.pdfVIP

多形貌四针状氧化锌纳米材料的制备与表征 李会峰1 黄运华2 张跃1’2秦子2 (1．新金属材料国家重点实验室；2．北京科技大学材料物理与化学系，北京100083) 摘 要：热蒸发zn与醋酸锌(ZAc)混合物，在650℃，无催 法，在1100。C的条件下制备了T．ZnO纳米材料，并 化剂的条件下制备了四针状氧化锌(T·ZnO)纳米材料，通过讨论了其生长机理。Bello¨1等人在改进前人的实 调节Ar与O：气流量，在不同条件下能得到不同形貌的T—验方法上，利用自催化的方法，于900。C的温度下制 ZnO纳米结构。HRTEM研究显示T-ZnO纳米结构的每个针 备了T-ZnO纳米材料。 体沿[0001]方向生长。探讨了T-ZnO的生长机理，其生长 本文利用热蒸发锌粉和醋酸锌的混合物。在氩 过程中存在自催化的过程，ZAc的存在起到了良好的催化 气(Ar)和氧气(O：)的气氛中，未使用催化剂、较低 效果。 温度的条件下制备出了高品质的各类形貌的T-ZnO 关键词：四针状氧化锌(T-ZnO)；醋酸锌(ZAc)；制备；生长 纳米材料，其表面光滑，结晶性较高，是制作器件的 机理 优良原料。 2实验方法和过程 1 引言 T．ZnO纳米结构是通过化学气相沉积的方法合 ZnO是一种具有压电和光电特性的半导体材 成，其制备过程如下：纯锌粉(zn)与醋酸锌(ZAc) ev，是典型的直接带 料，在常温下禁带宽度是3．37 按照摩尔比10：1的比例混合，研磨使其充分混合， 隙宽禁带半导体材料，同时它的激子束缚能高达 取其约1g的混合物放入氧化铝瓷舟底部；n型硅基 60meV。比室温热离能26meV高很多，激子不易发 片依次采用丙酮和酒精在超声清洗器内清洗干净， 生热离化。由于有大束缚能的激子更易在室温下实 并倒扣在瓷舟上，距离样品距离约3—5mm，然后 现高效率的激发射，因此与ZnSe(22meV)、ZnS 放置于管式炉中的石英管中部，整个沉积过程炉温 (40meV)和GaN(25meV)相比，ZnO是一种在室 保持在6500C。产物的不同形貌主要是通过调节气 温或更高温度下，具有很大应用潜力的短波长发光 80 流量来控制。在反应过程中，首先向管内通人Ar 材料‘1。21。 —100 cm3／min，保持15分钟，然后停止通Ar，改通 四针状氧化锌(T．ZnO)是一种生长成立体四针 cm’／min 0：，保持O：的