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简并化条件 对N型半导体,可以把EF与EC的相对位置作为区分简并化与非简并的标准，即简并化条件。如: 对P型半导体则以EF与EV的相对位置作为简并化条件。 非简并 当温度一定时，根据给定的简并化条件，可以计算半导体达到简并化时对掺杂浓度的要求。当掺杂浓度超过一定数量时，载流子开始简并化的现象称为重掺杂。 弱简并 简并 低温载流子冻析效应、禁带变窄效应 ⒈低温载流子冻析效应 对含有杂质的半导体，当温度低于某一温度时，杂质只有部分电离，尚有部分载流子被冻析在杂质能级上，对导电没有贡献，这种现象成为低温载流子冻析效应。当半导体中掺杂浓度较高时，低温下半导体可以处于简并状态。 ⒉禁带变窄效应 在简并半导体中，杂质浓度高使杂质原子相互比较靠近，导致杂质原子之间电子波函数发生交叠，使孤立的杂质能级扩展为能带，称为杂质能带。杂质能带中的电子通过在杂质原子之间的共有化运动参加导电的现象称为杂质带导电。 由于杂质能级扩展为杂质能带，将使杂质电离能减少，如当杂质浓度大于某一数值后，杂质电离能为零，电离率上升到1。这是因为杂质能带进入了导带或价带，并与导带或价带相连，形成了新的简并能带，使能带的状态密度发生了变化，简并能带的尾部伸入到禁带中，称为带尾。导致禁带宽度由Eg减小到Eg`，所以重掺杂时，禁带宽度变窄了，称为禁带变窄效应。 简并半导体在重掺杂时的禁带变窄效应 E g(E) 导带 价带 Eg 施主能级 非简并半导体 简并半导体 E g(E) 导带 价带 Eg 施主能级 Eg` ⒉禁带变窄效应 小结：求解热平衡半导体载流子浓度的思路 一、对只含一种杂质的半导体： ⒈首先判断半导体所处的温度区域（四个）； 杂质弱电离区、饱和电离区、过渡区、本征区 ⒉写出电中性条件； ⒊利用该温度区域的载流子浓度计算公式求解。 二、含多种（不同）杂质的半导体： ⒈首先判断材料的导电类型及有效杂质浓度； ⒉ 判断半导体所处的温度区域（四个）； 杂质弱电离区、饱和电离区、过渡区、本征区 ⒊写出电中性条件； ⒋利用该温度区域的载流子浓度计算公式求解。 本章主要内容回顾： 一、费米能级的定义；两种分布函数的形式；简并和非简并半导体的定义。 二、计算热平衡半导体载流子浓度的两套公式；本征载流子浓度的表达式。 三、载流子在杂质能级上的分布函数；只含一种杂质的半导体中载流子浓度及费米能级的求解；判断强电离的掺杂浓度范围；费米能级随温度和杂质浓度的变化关系。 四、含多种杂质的半导体中载流子浓度和费米能级的求解。 五、简并化条件；冻析效应；禁带变窄效应。 Thank you ! ⑸ 高温本征激发区 在足够高的温度下，n0Nd和p0Nd．这时，电中性条件变成n0 =p0，这种情况与未掺杂的本征半导体类似，称为杂质半导体进入高温本征激发区．杂质浓度越高，进入本征激发区温度越高。 综上：杂质半导体中载流子浓度随温度变化的规律，从低温到高温大致可分为四个区域，即杂质弱电离区，杂质强电离区(饱和区),过渡区和本征激发区． 在低温下，电子浓度随温度升高而增加 ，到100K,杂质全部电离，高于500K，本征激发开始。 100-500K,杂质全部电离，载流子浓度=杂质浓度 P型半导体载流子浓度 （1）杂质弱电离 （2）强电离（饱和区） ⒊过渡区—本征激发 费米能级与杂质浓度和温度的关系 E T 0 ⒈杂质浓度一定时，费米能级随温度的变化关系 对于杂质浓度一定的半导体，随着温度的升高，载流子则是从杂质电离为主要来源过渡到以本征激发为主要来源的过程，相应地费米能级从杂质能级附近逐渐移近禁带中线处。 对于N型半导体, 当杂质浓度一定时，随着温度的升高，费米能级从施主能级以上移动到施主能级以下，最终下降到禁带中线处；对于P型半导体,当杂质浓度一定时，随着温度的升高，费米能级从受主能级以下逐渐上升到禁带中线处。 E T 0 ⒉当温度一定时，费米能级随杂质浓度的变化关系 当温度一定时，费米能级的位置由杂质浓度所决定，如下图所示。 费米能级与杂质浓度和温度的关系 对于N型半导体,费米能级位于禁带中线以上，在同一温度下,施主浓度越大，费米能级的位置越高,由禁带中线逐渐向导带底靠近。 对于P型半导体,费米能级位于禁带中线以下，在同一温度下，受主浓度越大,费米能级的位置越低,由禁带中线逐渐向价带顶靠近。 由上可知，当温度一定时，费米能级随杂质浓度的变化的规律如下： 一般情况下的载流子统计分布 电中性条件 同时含有一种施主杂质和一种受主杂质情况下的电中性条件为 这样的半导体中存在杂质补偿现象，即使在极低的温度下,浓度小的杂质也全部是电离的,这使得电中性条件中的nD或p