射频磁控溅射Ba06Sr04TiO3薄膜表层结构研究.pdf

2005年10月 四川大学学报(自然科学版) Oct．2005 V01．42 2 of Science Issue 第42卷增刊2 Sichuan Edition) Journal University(Natural 文章缩号：0490一6756(2005)022—0172-05 廖家轩+，杨传仁，张继华，陈宏伟，符春林，唐章东，冷文建 (电子科技大学檄电子与固体电子学院，成都610054) 进行常规晶化和快速晶化，用XPS，GXRD和AFM研究了薄膜表层的结构特征．XPS表明，常 规晶化的BST薄膜表层约3nm--5nm厚度内台有非钙钛矿结构的BST，随着温度的升高该厚 度增加；而快速晶化时，该厚度减薅至1rI【Il内，随着温度的升高没有明显增厚．元素的化学态 表明非钙钛矿结构的BST并非来自薄膜表面吸附的舍碳污染物(如。趣等)，而与吸附的其他 元素(如吸附氧等)对表层的影响有关．G)【RD和AFM表明，致密的表面结构能有效地阻止吸 附元素在BST膜体中的扩散，从而减薄舍非钙钛矿结构层的厚度． 关键词：BST；表层；结构；晶化；钙钛矿结构 中图分类号：TN384 文献标识码：A 引言 钛酸锶钡(BST)薄膜因高的介电常数在高密度随机存储(如薄膜电容器)等方面具有巨大的应用前 景，因而成为一个研究热点11刮．但BST薄膜和电极之间的低介电常数过渡层(称为“死层”)使BST薄膜 电容器的电介常数显著降低而制约其应用[7-10J．因此，要实现BST薄膜的实际应用，该低介电常数层必 染物的低介电常数层，同样显著降低了BST薄膜电容器的介电常数而制约着BST的应用【111，因此，该层 切相关．如紫外辅助脉冲激光沉积有助于该层的减薄及非BST相的减少．他们还指出。该层中非BST相 去．另有研究表明，该层用№o等离予处理及热解吸附作用也能除去¨“．但是，对于该层的厚度、其中非 BST相的分布及化学态的变化等研究还很少涉及，必须加强，只有这样才能更有效地除去该层而实现 BST薄膜的实际应用．为此，我们利用射频磁控溅射方法沉积了BST薄膜，并用XPS分析方法详细研究 了薄膜表层在不同晶化工艺及退火温度下的结构特征． 2实验部分 收稿日期：2005．08．31 基金项目：国家973重大基础研究计划项目(51310ZOJO) 作者简介：男，博士后，副教授，从事电子薄膜材料研究 *通讯作者，E-mail：jxlino@uestc．edu．cn． 增刊2 廖家轩等：射频磁控溅射Ba06St0．4Ti03薄膜表层蛄构研究 173 700℃，保温lh；快速晶化在光热炉中进行，工作气氛 氛为02，升温速率为2C～10℃／min，温度为450C 为Ar／02(1：1)，升温速率为50℃／s，温度为450℃～700℃。保温10min． 谱峰进行拟合， 3结果与讨论 为几个峰，且随刻蚀时间的增加，峰的位置和形状有明显变化．这说明BST薄膜表层中不是纯的钙钛矿结 非钙钛矿结构BST形式存在，随刻蚀时间的增加，Ba原子在非钙钛矿结构BST中的含量逐渐减少，刻蚀 BST消失。其分布深度约为lnm． jd盲目g目 Bindingenergy(eV) Bindingenergy(eV) 圉1 60012下退戈的BST薄膜表屡风d的XPS谱：(a)CTA，(b)RTA Osand are fmm sur- at 120sfitted，takenAr+sputtered