江璐微电子实验一预案.doc

微电子器件与电路实验报告 姓名 江璐 学号 1315212017 合作人 无 实验时间 2015.11.12 实验成绩 教师签名 实验名称 实验一 二极管电学特性仿真验证实验 实验设备 (1)计算机 (2)Multisim 12 实验目的 1.各种类型的二极管的IV特性测试 2.各种类型的二极管正向导通电压随温度漂移特性测试 3.齐纳二极管反向击穿电压随温度漂移特性测试 4.各种二极管的CV特性曲线测试 实验内容 1.普通二极管、齐纳二极管、肖特基二极管、LED二极管IV特性分析 2.普通二极管、齐纳二极管、肖特基二极管正向导通电压随温度漂移特性分析 3.齐纳二极管反向击穿电压随温度漂移特性分析 4.普通二极管、肖特基二极管、变容二极管CV特性分析 实 验 报 告 要 求 1. 实验前按要求阅读器件说明文档，阅读实验操作文档，熟悉实验过程及操作步骤 2. 按实验报告要求操作、记录数据(波形)、处理数据(波形) 实 验 记 录： 实验1.1 二极管IV特性分析(IV分析仪) 1N4001普通二极管、1N4728A稳压二极管、1N5817G肖特基二极管、LED蓝灯(LED_blue)的正向导通电压及反向击穿电压，及IV特性波形记录 实验1.2 二极管IV特性分析 1N4001普通二极管、1N4728A稳压二极管、1N5817G肖特基二极管正向偏置下指定电流下的二极管偏压及IV特性曲线 实验1.3 二极管正偏电压随温度漂移特性 1N4001普通二极管、1N4728A稳压二极管、1N5817G肖特基二极管在1mA恒流驱动下，二极管正向导通电压随温度漂移特性及波形记录 实验1.4 齐纳二极管反向击穿电压随温度漂移特性 1N4728A，1N4733A，1N4743A在10mA恒流驱动下，反向击穿电压随温度漂移特性及波形记录 实验1.5 二极管反向偏置下CV特性 1N4001普通二极管、1N5817G肖特基二极管、BB112变容二极管反偏CV特性测试及Excell数据处理绘制CV特性曲线  实验1.1二极管IV特性分析(IV分析仪) 二极管正向导通电压及反向击穿电压数据记录 表格1-1 IV分析仪分析二极管IV特性 型号 正向导通电压V@1mA 反向击穿电压V@-1mA 1 1N4001 535.2101mV -53.0585V 2 1N4728A 493.7053mV -3.1874V 3 1N5817G 122.8217mV -19.9991V 4 蓝光LED 3.2150V -60.9532V ①将1N4001二极管IV特性曲线(IV分析仪)波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并标注正向导通电压和反向击穿电压点【波形打印出来必须清晰】 ②将1N4728A二极管IV特性曲线(IV分析仪)波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并标注正向导通电压和反向击穿电压点【波形打印出来必须清晰】 ③将1N5817G二极管IV特性曲线(IV分析仪)波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并标注正向导通电压和反向击穿电压点【波形打印出来必须清晰】 ④将蓝光LED二极管IV特性曲线(IV分析仪)波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并标注正向导通电压和反向击穿电压点【波形打印出来必须清晰】 实验1.2二极管IV特性分析(直流分析) 正向偏置状态下二极管的IV特性，并计算电流增加10倍时，二极管正向偏压的增加值 计算方法：比如0.1mA时电压为416mV,1mA时电压为535mV，电压增量为△V=119mV。 表格1-2 二极管正向偏置下IV特性 型号 V@0.1mA V@1mA V@10mA V@100mA V@1000mA 1 1N4001 416.315mV 535.448mV 654.943mV 777.908mV 935.587mV △V ------- 119.133mV 119.495mV 122.965mV 157.679mV 2 1N4728A 434.609mV 494.166mV 553.728mV 613.372mV 673.829mV △V ------- 59.557mV 59.562mV 59.644mV 60.457mV 3 1N5817G 51.334mV 123.124mV 202.328mV 286.590mV 413.441mV △V ------- 71.79mV 79.204mV 84.262mV 126.851mV ①将1N4001二极管IV特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并标注各个电流点的二极管电压值