微波等离子体增强化学气相沉积生长SiOx薄膜发光性能研究.pdfVIP

微波等离子体增强化学气相沉积生长SiO。薄膜发光性能研究 郝小鹏“2，王宝义“，马创新1，魏龙1 1．中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室，JE京100049 2．中国科学院研究牛院，北京100049 摘要研究了采用微波等离子体增强化学气相沉积技术生长的不同气体流量比R(R--Q／SIHt)的siq 薄膜及其真空退火处理后的发光性能。结果表明，当R在0．6Rl_3范围内均出现了350～600衄宽的 发光带，当R=0．8时发光强度最大。经过退火处理后．在相同的气体流量比情况下，发光强度随着退火温 度的增加先增大后减小，即出现r发光的猝灭现象，并且猝灭温度随着R值的增加不断降低，即随着氧含量 nm～600 不断增加猝灭温度不断降低。在430 nm范围内发光强度随着R值的不断增大而显著降低，这说明 氧含量直接影响430～600眦发光带的发光。 主题词E．CR-CVD；Siq{FL 中圄分类号：0482．2文献标识码：A 文章编号：i000—0593(2006)07—0289一02 1990年㈨an一发现多孔硅室温强可见光发射，展现与微电子工艺兼容。本文研究了微波等离子体增强化学气相 了硅可能应用于光电子领域和将光电和微电集成于同一硅片 的前景．引发了世界范围的研究热潮。s，q薄膜作为硅基发 膜及其真空退火处理后的发光性能。薄膜沉积在P型晶向为 光材料的一种，与多孔硅相比具有优越的机械性能。微波等 (100)的单晶硅基底上。工艺条件为：基底温度室温，微渡功 rain。 离子体增强化学气相沉积技术(ECRCVD)与其他沉积手段率400W，反应室压强1．3Pa，沉积时间25 相比具有低温，低压、低损伤和高气体离化率等优点，并且 WavelengtMml Wavelength／rim PL of B口}CVD．The suchas pow。 spectraspumes depositionparameters Fig．1 p伸paI州by 0f timewcrttroom WtI．3Pa，and25 t“ntainer，and temperature，400 H．pressure deposition the annealedatdifferent of atdifferent见(b)showsthe of R=O·8 $howsthePL specimens spectraspecimensprepared andanlried 帅tere ～550nHI。而当R一0．8时，具有最强的紫外发光。图1(b) 图l(a)是当R值分别为0．6，0，8，1．0样品的光致发光 潜，从图中可以看出三个样品均出现了紫外一可见光发光带， 是当R一0．8时样品经过不同温度退夹处理以后的光致发光 100℃ 000和1 DID．，440～460rim和530谱。经过对R=0．8样品分别进行700，900，1 主要有三个发